商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2SK3857TK-B N沟道结型场效应管 20v 0.14~0.35mA SOT-523 marking/标记 9B 超紧凑ECM |
2SK3857TK-B
标记:9B 封装:SOT-623/TESM3 |
TOSHIBA | 250000 | 立即订购 |
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TF208TH-4-TL-H N沟道结型场效应管 20v 0.14~0.35mA sot-723 marking/标记 驻极体麦克风 |
TF208TH-4-TL-H
标记: 封装:sot-623/VTFP |
SANYO | 224000 | 立即订购 |
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EMH2412-TL-H 复合场效应管 24V 6A EMH8 通用开关 2.5V驱动 |
EMH2412-TL-H
标记: 封装:EMH8 |
SANYO | 1793500 | 立即订购 |
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SI2302ADS-T1-E3 N沟道MOSFET 20V 2.4A SOT-23/SC-59 marking/标记 2A 低导通电阻/高速开关/宽SOA |
SI2302ADS-T1-E3
标记:2A 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 8850 | 立即订购 |
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SI2302CDS-T1-GE3 N沟道MOSFET 20V 2.4A SOT-23/SC-59 marking/标记 N2 低导通电阻/低电压驱动 |
SI2302CDS-T1-GE3
标记:N2 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 22830 | 立即订购 |
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N0300P P沟道MOS场效应管 -30V 4.5A 0.056ohm SOT-23 marking/标记 XZ 内置栅极保护二极管 4.5V驱动 低导通电阻 |
N0300P
标记:XZ 封装:SOT-23/SC-59 |
NEC | 1500 | 立即订购 |
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RTR025P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 TY 低导通电阻 内置栅源保护二极管 |
RTR025P02
标记:TY 封装:SOT-23/SC-59 |
ROHM | 600 | 立即订购 |
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PMF3800SN N沟道MOSFET 60V 260mA/0.26A SOT-323/SC-70 marking/标记 FK 快速开关/低功率损耗/极低的RDS |
PMF3800SN
标记:FK 封装:SOT-323/SC-70 |
NXP/PHILIPS | 302800 | 立即订购 |
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MGF4714CP MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V GD-22 marking/标记 C 高频应用/低噪音 |
MGF4714CP
标记:C 封装:GD-22 |
MITSUBISHI | 38000 | 立即订购 |
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AM2330N-T1-PF N沟道MOSFET 30V 5.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 304TA 低栅极电荷/ |
AM2330N-T1-PF
标记:304TA 封装:SOT-23/SC-59 |
ANALOG POWER | 5800 | 立即订购 |
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SI3445ADV P沟道MOS场效应管 -8V -5.8A 0.034ohm SOT-163 marking/标记 C5P |
SI3445ADV
标记:C5P 封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
VISHAY | 138000 | 立即订购 |
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SI3457CDV-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -30V -4.1A 0.060ohm SOT-163 marking/标记 ATO |
SI3457CDV-T1-GE3
标记:ATO 封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |