商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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FDN352AP P沟道MOS场效应管 -30V -1.3A 0.15ohm SOT-23 marking/标记 52ap |
FDN352AP
标记:52ap 封装:SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 457 | 立即订购 | |
SI3440DV N沟道MOSFET 150V 1.2A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 AO 低导通电阻/DMOS结构式 |
SI3440DV
标记:AO 封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
VISHAY | 0 | 立即订购 | |
2SK2552-T1 N沟道结型场效应管 20v 0.15~0.3mA SOT-523 marking/标记 J5 高正向转移导纳 |
2SK2552B
标记:CF 封装:SOT-523/SC-75/USM |
NEC | 15000 | 立即订购 | |
2SK2552-T1 N沟道结型场效应管 20v 0.09~0.18mA SOT-523 marking/标记 J4 高正向转移导纳 |
2SK2552B
标记:CH 封装:SOT-523/SC-75/USM |
NEC | 186000 | 立即订购 | |
BF862 N沟道结型场效应管 20v 10~25mA SOT-23 marking/标记 2A 前置放大器 |
BF862
标记:2A 封装:SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 | |
SI1013X P沟道MOS场效应管 -20V -400mA 0.8ohm SOT-523 marking/标记 BGA 低导通电阻 功率MOSFET 2000VESD保护 |
SI1013X
标记:BGA 封装:SOT-523/SC-75A/SC-89 |
VISHAY | 3000 | 立即订购 | |
SI2301ADS P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.093ohm SOT-23 marking/标记 1A |
SI2301ADS
标记:1A 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 50 | 立即订购 | |
MGSF1N03LT1 N沟道MOSFET 30V 2.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 N3 高速开关/增强模式 |
MGSF1N03LT1
标记:N3 封装:SOT-23/SC-59 |
ON | 10 | 立即订购 | |
FDN361AN N沟道MOSFET 30V 1.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 361 低导通电阻/超高速开关/2.5V驱动器 |
FDN361AN
标记:361 封装:SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 6170 | 立即订购 | |
PH7030L N沟道MOSFET 30V 68A SOT-669 marking/标记 7030L 硅栅高速开关/低驱动 |
PH7030L
标记:7030L 封装:SOT-669 |
NXP/PHILIPS | 1640 | 立即订购 | |
3LN03M N沟道MOSFET 30V 350mA/0.35A SOT-323/SC-70 marking/标记 YG 低导通电阻/高速开关 |
3LN03M
标记:YG 封装:SOT-323/SC-70 |
SANYO | 1800 | 立即订购 | |
CPH6614 复合场效应管 30V/-30V 1.8A/-1.2A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 WA 超高速开关 4V驱动 |
CPH6614
标记:WA 封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
SANYO | 0 | 立即订购 |