| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2N7002/G N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 1NW 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关 |
2N7002/G
标记：1NW 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 17950 | 立即订购 |
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2N7002 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 702 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关 |
2N7002
标记：702 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 1200 | 立即订购 |
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2N7002 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 12P 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关 |
2N7002
标记：12P 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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FDG326P P沟道MOS场效应管 -20V -1.5A 0.105ohm SOT-363 marking/标记 26 |
FDG326P
标记：26 封装：SOT-363/SC70-6 |
FAIRCHILD | 6100 | 立即订购 |
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NTZS3151PT1G P沟道MOS场效应管 -20V -860mA 240毫欧 SOT-563 marking/标记 TX 负载/功率开关 电池管理 低导通电阻 小信号MOSFET |
NTZS3151PT1G
标记：TX 封装：SOT-563 |
ON | 0 | 立即订购 |
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SI3831DV 复合场效应管 -7V -2.4A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 31 |
SI3831DV
标记：31 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
VISHAY | 15 | 立即订购 |
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SI1403DL P沟道MOS场效应管 -20V 1.5A 0.145ohm SOT-363 marking/标记 OA |
SI1403DL
标记：OA 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 11800 | 立即订购 |
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INK0002AC1 N沟道MOSFET 25V 90A TO-252/D-PAK marking/标记 K2 极低的RDS/低栅极电荷/高功率/高电流处理力 |
INK0002AC1
标记：K2 封装：SOT-23/SC-59 |
MITSUBISHI | 1590 | 立即订购 |
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MCH3411 N沟道MOSFET 30V 3A SOT-323/SC-70 marking/标记 KL 低导通电阻/低栅极电荷/快速开关 |
MCH3411
标记：KL 封装：SOT-323/SC-70 |
SANYO | 29000 | 立即订购 |
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MGF4954A MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V 2520 marking/标记 B2 高频应用/低噪声 |
MGF4954A
标记：B2 封装：2520 |
MITSUBISHI | 2886 | 立即订购 |
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MGF4953A MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V 2520 marking/标记 B3 高频应用/低噪声 |
MGF4953A
标记：B3 封装：2520 |
MITSUBISHI | 0 | 立即订购 |
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MI2302-SM N沟道MOSFET 20V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 MCS 高速开关 |
MI2302-SM
标记：MCS 封装：SOT-23/SC-59 |
EGASYS ELEC | 2900 | 立即订购 |
