| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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KSK211-Y N沟道结型场效应管 18v 2.5~6mA SOT-23 marking/标记 L2Y 甚高频放大器 |
KSK211-Y
标记：L2Y 封装：SOT-23/SC-59 |
SAMSUNG | 3000 | 立即订购 |
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2SK1195 N沟道MOSFET 230V 1.5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1195 适用于4V驱动/静态的Rds（on）是小/内置ZD门保护 |
2SK1195
标记：K1195 封装：TO-252/D-PAK |
shindengen | 200 | 立即订购 |
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2SK663-R N沟道结型场效应管 55v 5~12mA SOT-323 marking/标记 2BR 低频放大，开关 |
2SK663-R
标记：2BR 封装：SOT-323/SC70 |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
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2SJ213 P沟道MOS场效应管 -100V -500mA 1.8ohm SOT-89 marking/标记 PP 高速开关 直接驱动5V电源IC |
2SJ213
标记：PP 封装：SOT-89/SC-62 |
NEC | 0 | 立即订购 |
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MCH6609 复合场效应管 -50V -280mA/-0.28A SOT-363/SC70-6/MCPH6 marking/标记 FI 超高速开关 2.5V驱动 |
MCH6609
标记：FI 封装：SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
SANYO | 2500 | 立即订购 |
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GN01010NR2TD MESFET-N沟道 6V 25mA-45mA SOT-143 marking/标记 5AR 高频应用/低噪音 |
GN01010NR2TD
标记：5AR 封装：SOT-143 |
Panasonic | 6000 | 立即订购 |
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H2N7002 N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 702 负荷开关/电源管理/低栅极电荷 |
H2N7002
标记：702 封装：SOT-23/SC-59 |
HI-SINCERITY | 3000 | 立即订购 |
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2SK3292-TD-E N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 KY 低导通电阻/高速开关/4V驱动 |
2SK3292-TD-E
标记：KY 封装：SOT-89/SC-62/PCP |
SANYO | 4900 | 立即订购 |
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ZVN4106FTA N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 MZ 高速开关/低导通电阻 |
ZVN4106FTA
标记：MZ 封装：SOT-23/SC-59 |
ZETEX | 2050 | 立即订购 |
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2N7002 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 12W/702 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关 |
2N7002
标记：702 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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MP6K61FU7 复合场效应管 30V 5A MPT6 marking/标记 MP6K61 4V驱动 内置保护二极管 |
MP6K61FU7
标记：MP6K61 封装：MPT6 |
ROHM | 120 | 立即订购 |
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TPC6109 P沟道MOS场效应管 -30V -5A 59毫欧 SOT-163 marking/标记 S3J 高效率DC/DC转换 低漏电流 低导通电阻 |
TPC6109
标记：S3J 封装：SOT-163/SOT23-6/VS-6 |
TOSHIBA | 400 | 立即订购 |
