商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|
BSP318S N沟道MOSFET 60V 2.6A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP318 低噪声增益控制放大器 |
BSP318S
标记:BSP318 封装:SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 1200 | 立即订购 | |
BSP318S N沟道MOSFET 60V 2.6A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP318 低噪声增益控制放大器 |
BSP318S
标记:BSP318 封装:SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 26150 | 立即订购 | |
BSP316S P沟道MOS场效应管 -100V 650mA 1.4ohm SOT-223 marking/标记 BSP316S |
BSP316S
标记:BSP316S 封装:SOT-223 |
INFINEON | 0 | 立即订购 | |
BSP316 P沟道MOS场效应管 -100V 650mA 1.4ohm SOT-223 marking/标记 BSP316 |
BSP316
标记:BSP316 封装:SOT-223 |
SIEMENS | 470 | 立即订购 | |
BSP315P P沟道MOS场效应管 1.17A 0.5ohm SOT-223 marking/标记 BSP315 |
BSP315P
标记:BSP315 封装:SOT-223 |
INFINEON | 0 | 立即订购 | |
BSP297 N沟道MOSFET 200V 650mA/0.65A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP297 射频应用 |
BSP297
标记:BSP297 封装:SOT-223/SC-73/TO261-4 |
SIEMENS | 0 | 立即订购 | |
BSP296 P沟道MOS场效应管 1.1A 0.43ohm SOT-223 marking/标记 BSP296 |
BSP296
标记:BSP296 封装:SOT-223 |
INFINEON | 1000 | 立即订购 | |
BSP295 N沟道场效应管 50V 1.8A SOT223 代码 S591 增强模式 |
BSP295
标记:S591 封装:SOT-223 |
SIEMENS | 0 | 立即订购 | |
BSP250 P沟道MOS场效应管 -300V -3A 0.25ohm SOT-223 marking/标记 BSP250 高速开关 无二次击穿 |
BSP250
标记:BSP250 封装:SOT-223 |
NXP/PHILIPS | 9000 | 立即订购 | |
BSP230 P沟道MOS场效应管 -300V -210mA 17ohm SOT-223 marking/标记 BSP230 高速开关 无二次击穿 |
BSP230
标记:BSP230 封装:SOT-223 |
NXP/PHILIPS | 4000 | 立即订购 | |
BSP225 P沟道MOS场效应管 -250V -225mA 10ohm SOT-223 marking/标记 BSP225 高速开关 无二次击穿 |
BSP225
标记:BSP225 封装:SOT-223 |
NXP/PHILIPS | 54 | 立即订购 | |
BSP206 P沟道MOS场效应管 -60V -359mA 6ohm SOT-223 marking/标记 高速开关 无二次击穿 |
BSP206
标记: 封装:SOT-223 |
NXP/PHILIPS | 450 | 立即订购 |