| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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3SK319 N沟道MOSFET 6V 20mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 YB 交叉调制特性/低电压工作/低噪音 |
3SK319
标记：YB 封装：SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 0 | 立即订购 |
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3SK318 N沟道MOSFET 6V 20mA SOT-343/CMPAK-4/SC70-4 marking/标记 YB 交叉调制特性/低电压工作/低噪音 |
3SK318
标记：YB 封装：SOT-343/CMPAK-4/SC70-4 |
RENESAS | 0 | 立即订购 |
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3SK309 MESFET-N沟道 6V 40mA -0.2V -- -1.5V SOT-323 marking/标记 XV 高频应用/低噪点 |
3SK309
标记：XV 封装：SOT-343/CMPAK–4 |
HITACHI | 0 | 立即订购 |
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3SK307 N沟道MOSFET 15V 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 C 自动精简集 |
3SK307
标记：C 封装：SOT-343/SC70-4 |
Panasonic | 1700 | 立即订购 |
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3SK304 N沟道MOSFET 15V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 D 自动精简集 |
3SK304
标记：D 封装：SOT-143/SOT-24/SC-61 |
TOSHIBA | 2100 | 立即订购 |
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3SK302 N沟道MOSFET 15V 30mA SOT-143 marking/标记 B 自动精简集 |
3SK302
标记：B 封装：SOT-143 |
Panasonic | 4200 | 立即订购 |
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3SK298 N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-343/CMPAK-4/SC70-4 marking/标记 ZP 低噪声增益控制放大器/低电压操作 |
3SK298
标记：ZP 封装：SOT-343/CMPAK-4/SC70-4 |
HITACHI | 500 | 立即订购 |
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3SK297 N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 ZP 低噪声增益控制放大器/低电压操作 |
3SK297
标记：ZP 封装：SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 0 | 立即订购 |
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3SK296ZQ-TL-E N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-343/CMPAK-4 marking/标记 ZQ 低噪声增益控制放大器/低电压操作 |
3SK296ZQ-TL-E
标记：ZQ 封装：SOT-343/CMPAK-4 |
RENESAS | 0 | 立即订购 |
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3SK293 N沟道MOSFET 12.5V 30mA SOT-343/SMQ/SC-61 marking/标记 UF 低噪声增益控制放大器/大功率增益 |
3SK293
标记：UF 封装：SOT-343/SMQ/SC-61 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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3SK291 N沟道MOSFET 12.5V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UF 高级交叉调制性能/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器 |
3SK291
标记：UF 封装：SOT-143/SOT-24/SC-61 |
TOSHIBA | 5200 | 立即订购 |
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3SK285 N沟道MOSFET 13V 30mA SOT-143 marking/标记 HV 高频场 |
3SK285
标记：HV 封装：SOT-143 |
Panasonic | 7800 | 立即订购 |
