| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
CPH3310 P沟道MOS场效应管 -20V -1.6A 0.175ohm SOT-23 marking/标记 JK 超高速开关 2.5V驱动 |
CPH3310
标记：JK 封装：SOT-23/SC-59 |
SANYO | 4000 | 立即订购 |
|
|
CPH3306-TL P沟道MOS场效应管 -20V -3A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 JF 超高速开关 2.5V驱动 |
CPH3306-TL
标记：JF 封装：SOT-23/SC-59 |
SANYO | 2600 | 立即订购 |
|
|
CPH3305 P沟道MOS场效应管 -60V -0.8A 0.98ohm SOT-23 marking/标记 JE 超高速开关 4V驱动 |
CPH3305
标记：JE 封装：SOT-23/SC-59 |
SANYO | 8500 | 立即订购 |
|
|
CPH3304 P沟道MOS场效应管 -30V -1.6A 0.240ohm SOT-23 marking/标记 JD 超高速开关 4V驱动 |
CPH3304
标记：JD 封装：SOT-23/SC-59 |
SANYO | 21500 | 立即订购 |
|
|
CPH3303-TL P沟道MOS场效应管 -20V -1.6A 0.245ohm SOT-23 marking/标记 JC 超高速开关 2.5V驱动 |
CPH3303-TL
标记：JC 封装：SOT-23/SC-59 |
SANYO | 21700 | 立即订购 |
|
|
CPC5602CTR N沟道结型场效应管 SOT-223 marking/标记 CPC5602C 常开开关 |
CPC5602CTR
标记：CPC5602C 封装：SOT-223 |
CLARE | 40 | 立即订购 |
|
|
CMT2N7002 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 024V 密度电池设计极低的RDS |
CMT2N7002
标记：024V 封装：SOT-23/SC-59 |
CHAMPION | 3000 | 立即订购 |
|
|
CLY10 MESFET-N沟道 9V 1.2A-2.4A -2.8V SOT-223 marking/标记 CLY10 高频应用 |
CLY10
标记：CLY10 封装：SOT-223 |
SIEMENS | 386 | 立即订购 |
|
|
CF739R MESFET-N沟道 10V 6mA-60mA -2.5V SOT-143 marking/标记 MT 高频应用/低噪点 |
CF739R
标记：MT 封装：SOT-143 |
SIEMENS | 0 | 立即订购 |
|
|
CF739 MESFET-N沟道 10V 6mA-60mA -2.5V SOT-143 marking/标记 HS 高频应用/低噪点 |
CF739
标记：HS 封装：SOT-143 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
|
|
CET3055 N沟道MOSFET 60V 4A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 3055 密度电池设计极低的RDS |
CET3055
标记：3055 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
CET | 380 | 立即订购 |
|
|
CES2302 N沟道MOSFET 20V 3A SOT-23/SC-59 marking/标记 23 密度电池设计极低的RDS |
CES2302
标记：23 封装：SOT-23/SC-59 |
TAIWAN | 2750 | 立即订购 |
