| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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BSP295 N沟道场效应管 50V 1.8A SOT223 代码 S591 增强模式 |
BSP295
标记：S591 封装：SOT-223 |
SIEMENS | 0 | 立即订购 |
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BSP250 P沟道MOS场效应管 -300V -3A 0.25ohm SOT-223 marking/标记 BSP250 高速开关 无二次击穿 |
BSP250
标记：BSP250 封装：SOT-223 |
NXP/PHILIPS | 9000 | 立即订购 |
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BSP230 P沟道MOS场效应管 -300V -210mA 17ohm SOT-223 marking/标记 BSP230 高速开关 无二次击穿 |
BSP230
标记：BSP230 封装：SOT-223 |
NXP/PHILIPS | 4000 | 立即订购 |
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BSP225 P沟道MOS场效应管 -250V -225mA 10ohm SOT-223 marking/标记 BSP225 高速开关 无二次击穿 |
BSP225
标记：BSP225 封装：SOT-223 |
NXP/PHILIPS | 54 | 立即订购 |
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BSP206 P沟道MOS场效应管 -60V -359mA 6ohm SOT-223 marking/标记 高速开关 无二次击穿 |
BSP206
标记： 封装：SOT-223 |
NXP/PHILIPS | 450 | 立即订购 |
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BSP171P P沟道MOS场效应管 -60V -1.9A 0.21ohm SOT-223 marking/标记 BSP171P |
BSP171P
标记：BSP171P 封装：SOT-223 |
INFINEON | 940 | 立即订购 |
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BSP135 N沟道MOSFET 600V 120mA/0.12A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP135 高交叉调制性能/低反馈电容/低噪声增益控制放大 |
BSP135
标记：BSP135 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
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BSP126 N沟道MOSFET 250V 375mA/0.375A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP126 高交叉调制性能/低反馈电容/低噪声增益控制放大 |
BSP126
标记：BSP126 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 1140 | 立即订购 |
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BSP125 N沟道MOSFET 600V 120mA/0.12A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP125 甚高频应用 |
BSP125
标记：BSP125 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
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BSP122 N沟道MOSFET 200V 550mA/0.55A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP122 甚高频应用 |
BSP122
标记：BSP122 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 1950 | 立即订购 |
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BSP100 N沟道MOSFET 30V 6A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 甚高频应用 |
BSP100
标记： 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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BSN20W N沟道MOSFET 50V 173mA/0.173A SOT-23/SC-59 marking/标记 8H0 甚高频应用 |
BSN20W
标记：8H0 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
