| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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CES2302 N沟道MOSFET 20V 3A SOT-23/SC-59 marking/标记 23 密度电池设计极低的RDS |
CES2302
标记：23 封装：SOT-23/SC-59 |
TAIWAN | 2750 | 立即订购 |
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CEN7002A N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 S72 密度电池设计极低的RDS |
CEN7002A
标记：S72 封装：SOT-23/SC-59 |
JAT | 3000 | 立即订购 |
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CEH2311 P沟道MOS场效应管 -20V -30.5A 97ohm TSOP-6 marking/标记 114R3 低导通电阻 |
CEH2311
标记：114R3 封装：TSOP-6 |
NIPPON | 1500 | 立即订购 |
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BUK583-60A N沟道MOSFET 20V 3A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 53-60A 密度电池设计极低的RDS |
BUK583-60A
标记：53-60A 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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BUK483-60A N沟道MOSFET 60V 3.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 43-06A 密度电池设计极低的RDS |
BUK483-60A
标记：43-06A 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 300 | 立即订购 |
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BUK127-50DL N沟道MOSFET 50V 3mA SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 127DL 增强模式/逻辑电平 |
BUK127-50DL
标记：127DL 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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buk107-50dl N沟道MOSFET 50V 3mA SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 10750 增强模式/逻辑电平 |
BUK107-50DL
标记：10750L 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 20 | 立即订购 |
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BTS4140NL N沟道MOSFET SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 TS4140 高密度电池设计极低的RDS/压控制小信号开关 |
BTS4140NL
标记：TS4140 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
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BST82 N沟道MOSFET 100V 180mA/0.18A SOT-23/SC-59 marking/标记 02W 高密度电池设计极低的RDS/压控制小信号开关 |
BST82
标记：02W 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 885 | 立即订购 |
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BST120 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-89 marking/标记 LM 高速开关 无二次击穿 |
BST120
标记：LM 封装：SOT-89/SC-62 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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BSS84P P沟道MOS场效应管 -60V -170mA 5.8ohm SOT-23 marking/标记 YB |
BSS84P
标记：YB 封装：SOT-23/SC-59 |
INFINEON | 509 | 立即订购 |
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BSS84LT1 P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 5ohm SOT-23 marking/标记 PD 低功耗节能型 |
BSS84LT1
标记：PD 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 1650 | 立即订购 |
