| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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BF2030 N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-143 marking/标记 NE 低噪声增益控制放大器/VHF和UHF应用 |
BF2030
标记：ND 封装：SOT-143 |
INFINEON | 2500 | 立即订购 |
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BF2030 N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-143 marking/标记 NF 低噪声增益控制放大器/VHF和UHF应用 |
BF2030
标记：NE 封装：SOT-143 |
INFINEON | 8800 | 立即订购 |
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BF1205C 复合场效应管 6 30mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 M6 低噪声放大 VHF和UHF应用 |
BF1205C
标记：M6 封装：SOT-363/SC70-6 |
NXP/PHILIPS | 3000 | 立即订购 |
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BF1205 复合场效应管 10 30mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 L4 低噪声放大 VHF和UHF应用 |
BF1205
标记：L4 封装：SOT-363/SC70-6 |
NXP/PHILIPS | 56600 | 立即订购 |
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BF1202WR N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 LE 电压控制小信号开关/高饱和电流能力 |
BF1202WR
标记：LE 封装：SOT-343/SC70-4 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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BF1201WR N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 LA 低固有电容/栅极电荷最小化 |
BF1201WR
标记：LA 封装：SOT-343/SC70-4 |
NXP/PHILIPS | 30000 | 立即订购 |
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BF1201R N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-143 marking/标记 LB 低噪声增益控制放大器/VHF和UHF应用 |
BF1201R
标记：LB 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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BF1109R N沟道MOSFET 11V 30mA SOT-143 marking/标记 NB 低传导损耗/低开关损耗 |
BF1109R
标记：NB 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 5600 | 立即订购 |
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BF1108 N沟道MOSFET 3V 10mA SOT-143 marking/标记 NGW 符合AEC Q101 |
BF1108
标记：NGW 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 87000 | 立即订购 |
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BF1107 N沟道MOSFET 3V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 S3W 低噪声增益控制放大器/VHF和UHF应用 |
BF1107
标记：S3W 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 2070 | 立即订购 |
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BF1102R 复合场效应管 7 40mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 W2 低噪声放大 VHF和UHF应用 |
BF1102R
标记：W2 封装：SOT-363/SC70-6 |
NXP/PHILIPS | 19900 | 立即订购 |
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BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHz |
BF1101WR
标记：NC 封装：SOT-343 |
NXP/PHILIPS | 35000 | 立即订购 |
