| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSH103 N沟道MOSFET 30V 850mA/0.85A SOT-23/SC-59 marking/标记 J3 低噪声增益控制放大器 |
BSH103
标记：J3 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
|
|
BSA223SP P沟道MOS场效应管 -20V -1.5A 0.13ohm SOT-523 marking/标记 BP 高逻辑电平 雪崩额定 |
BSA223SP
标记：BP 封装：SOT-523 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
|
|
BS870E9 N沟道MOSFET 60V 250mA/0.25A SOT-23/SC-59 marking/标记 S70 低噪声增益控制放大器 |
BS870E9
标记：S70 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 600 | 立即订购 |
|
|
BS870-7 N沟道MOSFET 60V 250mA/0.25A SOT-23/SC-59 marking/标记 K70 低噪声增益控制放大器 |
BS870-7
标记：K70 封装：SOT-23/SC-59 |
DIODES | 36600 | 立即订购 |
|
|
BS170FTA N沟道MOSFET 60V 0.15mA SOT-23/SC-59 marking/标记 MV 低漏级/高增益 |
BS170FTA
标记：MV 封装：SOT-23/SC-59 |
ZETEX | 0 | 立即订购 |
|
|
BIC702MBZ-TL N沟道MOSFET 6V 30mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 BZ 低漏级/高增益 |
BIC702MBZ-TL
标记：BZ 封装：SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 4500 | 立即订购 |
|
|
BFR31 N沟道结型场效应管 25v 1~5mA SOT-23 marking/标记 M2P 低级别的通用放大器 |
BFR31
标记：M2P 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
|
|
BFR30 N沟道结型场效应管 25v 4~10mA SOT-23 marking/标记 M1P 低级别的通用放大器 |
BFR30
标记：M1P 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
|
|
BF999 N沟道MOSFET 20V SOT-23/SC-59 marking/标记 LB 低噪声增益控制放大器 |
BF999
标记：LB 封装：SOT-23/SC-59 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
|
|
BF998RA N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143 marking/标记 MOR 无二次击穿/高速开关/高输入阻抗 |
BF998RA
标记：MOR 封装：SOT-143 |
VISHAY | 50 | 立即订购 |
|
|
BF998R N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143 marking/标记 MOP 无二次击穿/高速开关/高输入阻抗 |
BF998R
标记：MRS 封装：SOT-143 |
SIEMENS | 0 | 立即订购 |
|
|
BF998 N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143 marking/标记 MOS 高速开关/低导通电阻 |
BF998
标记：MO 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 53 | 立即订购 |
