| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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BSN20 N沟道MOSFET 50V 173mA/0.173A SOT-23/SC-59 marking/标记 M8 甚高频应用 |
BSN20
标记：M8 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 2700 | 立即订购 |
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BSL211SP P沟道场效应管 -20V -4.7A SOT163 MARKING PB 增强模式 OptiMOS-P小信号晶体管 |
BSL211SP
标记：PB 封装：SOT-163 |
INFINEON | 5500 | 立即订购 |
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BSH207 P沟道MOS场效应管 -12V -152mA 0.08ohm SOT-163 marking/标记 A1 低开启电压 快速开关 |
BSH207
标记：A1 封装：SOT-163/SOT23-6 |
NXP/PHILIPS | 18200 | 立即订购 |
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BSH205 P沟道MOS场效应管 -12V -750mA 0.18ohm SOT-23 marking/标记 JO 低开启电压 快速开关 |
BSH205
标记：JO 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 3000 | 立即订购 |
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BSH203 P沟道MOS场效应管 -30V -470mA 0.66ohm SOT-23 marking/标记 PJ8 低开启电压 快速开关 |
BSH203
标记：WJ8 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 6000 | 立即订购 |
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BSH202 P沟道MOS场效应管 -30V -520mA 0.63ohm SOT-23 marking/标记 PJ7 低开启电压 快速开关 |
BSH202
标记：PJ7/wj7 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 90 | 立即订购 |
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BSH201 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 2.1ohm SOT-23 marking/标记 WJ6 低开启电压 快速开关 |
BSH201
标记：WJ6 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 140 | 立即订购 |
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BSH112 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK1 防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成二极管 |
BSH112
标记：wk1 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 659000 | 立即订购 |
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BSH111 N沟道MOSFET 55V 335mA/0.335A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK3 |
BSH111
标记：WK3/pk3 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 12000 | 立即订购 |
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BSH107 N沟道MOSFET 20V 1.75A SOT-163/TSOP-6/SC-74 marking/标记 AO 低噪声增益控制放大器 |
BSH107
标记：AO 封装：SOT-163/TSOP-6/SC-74 |
NXP/PHILIPS | 15900 | 立即订购 |
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BSH105 N沟道MOSFET 20V 1.05A SOT-23/SC-59 marking/标记 PJ5 低噪声增益控制放大器 |
BSH105
标记：PJ5 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 10242 | 立即订购 |
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BSH103 N沟道MOSFET 30V 850mA/0.85A SOT-23/SC-59 marking/标记 J3 低噪声增益控制放大器 |
BSH103
标记：J3 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
