商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SSM6J503NU P沟道MOS场效应管 -20V -600mA 0.0277ohm Vth:-0.8--1.0V UDFN6B marking/标记 SP3 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM6J503NU
标记:SP3 封装:UDFN6B |
TOSHIBA | 240000 | 立即订购 | |
SSM3K15AFS N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking/标记 DI |
SSM3K15AFS
标记:DI 封装:SOT-523/SSM |
TOSHIBA | 445985 | 立即订购 | |
ME2302 N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 I19RY1 超低导通电阻 |
ME2302
标记:I19RY1 封装:SOT-23/SC-59 |
Matsuki | 12000 | 立即订购 | |
SIB911DK-T1-GE3 复合场效应管 -20V -2.6A SC75-6L marking/标记 DAW 负载开关 功率MOSFET |
SIB911DK-T1-GE3
标记:DAW 封装:SC75-6L |
VISHAY | 57000 | 立即订购 | |
SI8413DB-T1-E1 P沟道MOS场效应管 -20V -6.5A 0.0393ohm Vth:-0.6V-1.4V 2X2 4-MFP marking/标记 8413 |
SI8413DB-T1-E1
标记:8413 封装:2X2 4-MFP |
VISHAY | 225000 | 立即订购 | |
SSM3J15FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻 |
SSM3J15FV
标记:DQ 封装:SOT-723/VESM |
TOSHIBA | 317640 | 立即订购 | |
SSM6P15FE 复合场效应管 -30V -100mA/-0.1A SOT-563/ES6 marking/标记 DQ 高速开关 |
SSM6P15FE
标记:DQ 封装:SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 588000 | 立即订购 | |
TPCP8202 复合场效应管 30V 5.5A PS-8 marking/标记 8202 电机驱动 DC/DC转换 |
TPCP8202
标记:8202 封装:PS-8 |
TOSHIBA | 78000 | 立即订购 | |
SSM3J01T P沟道MOS场效应管 -30V -1.7A 0.3ohm SOT-23 marking/标记 DE 高速开关 电源管理开关 |
SSM3J01T
标记:DE 封装:SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 20200 | 立即订购 | |
L2N7002LT1G N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 702 高频DC/DC转换器/良好的热电阻 |
L2N7002LT1G
标记:702 封装:SOT-23/SC-59 |
LRC | 3000 | 立即订购 | |
L2N7002WT1G N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-323/SC-70 marking/标记 6C 高频DC/DC转换器/良好的热电阻 |
L2N7002WT1G
标记:6C 封装:SOT-323/SC-70 |
LRC | 0 | 立即订购 | |
SSM5P15FE 复合场效应管 -30V -100mA/-0.1A SOT-553/ESV marking/标记 DQ 高速开关 |
SSM5P15FE
标记:DQ 封装:SOT-553/ESV |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |