| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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RZM002P02 P沟道MOS场效应管 -20V 250mA 0.8ohm SOT-723 marking/标记 YK 高速开关 1.2V超低电压驱动 |
RZM002P02
标记：YK 封装：sot-723/VMT3 |
ROHM | 0 | 立即订购 |
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DMN32D2LDF-7 复合场效应管 30V 400mA/0.4A SOT-353/SC70-5 marking/标记 KDV ESD保护 |
DMN32D2LDF-7
标记：KDV 封装：SOT-353/SC70-5 |
DIODES | 0 | 立即订购 |
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TPCL4203 N沟道MOSFET 24V 6A 4-Chip LGA marking/标记 高速开关/低导通电阻 |
TPCL4203
标记： 封装：4-Chip LGA |
TOSHIBA | 500000 | 立即订购 |
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2SK323KD |
2SK323KD
标记：KD 封装：SOT-23 |
HITACHI | 3200 | 立即订购 |
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SI1917EDH 双p沟道MOSFET -12V -1.15A SOT363 代码 DBW |
SI1917EDH
标记：DBW 封装：SOT-363 |
VISHAY | 600 | 立即订购 |
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2N7002-7-GIGA N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 K72 低导通电阻RDS/低栅极阈值电压/低输入电容/高速开关 |
2N7002-7-GIGA
标记：K72 封装：SOT-23 |
DIODES | 18000 | 立即订购 |
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RQ1E070RP P 沟道场效应管 -30V -7A TSMT8 代码 UE 较低的导通电阻 4 v驱动。 |
RQ1E070RP
标记：UE 封装：TSMT8 |
ROHM | 0 | 立即订购 |
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2SK3325B-ZK-E2-AY n沟道DMOS结构场效应晶体管 500V 10A 代码 K3325B |
2SK3325B-ZK-E2-AY
标记：K3325B 封装：TO-263 |
NEC | 0 | 立即订购 |
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XP152A11E5MR P沟道MOS场效应管 -30V -0.7A 0.20ohm SOT-23 marking/标记 211 超高速开关 低导通电阻 内置栅极保护二极管 |
XP152A11E5MR
标记：211 封装：SOT-23/SC-59 |
TOREX | 100 | 立即订购 |
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SI1413EDH P沟道MOS场效应管 -20V -2.9A 0.095ohm SOT-363 marking/标记 BAD 功率MOSFET 3000VESD保护 |
SI1413EDH
标记：BAD 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 35800 | 立即订购 |
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BSS138LT1G N沟道MOSFET 50V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 J1 增强模式逻辑电平 |
BSS138LT1G
标记：J1 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 500 | 立即订购 |
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SSM6L11TU 复合场效应管 20V/-20V 500mA/-500mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 K8 高速开关 |
SSM6L11TU
标记：K8 封装：SOT-363/SC70-6/UF6 |
TOSHIBA | 9000 | 立即订购 |
