| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SSM6K204FE N沟道MOSFET 20V 2A SOT-563/ES6 marking/标记 KN 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压 |
SSM6K204FE
标记：KN 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM6K203FE N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-563/ES6 marking/标记 KM 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压 |
SSM6K203FE
标记：KM 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM3K301T N沟道MOSFET 20V 350mA/0.35A SOT-23/SC-59 marking/标记 KK4 |
SSM3K301T
标记：KK4 封装：SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 3000 | 立即订购 |
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SSM3K131TU N沟道MOSFET 30V 6A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KKJ |
SSM3K131TU
标记：KKJ 封装：SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM3J109TU P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.091ohm SOT-323 marking/标记 JJ2 高速开关 1.8V驱动 低导通电阻 |
SSM3J109TU
标记：JJ2 封装：SOT-323/SC70/UFM |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM3K36TU N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 NX |
SSM3K36TU
标记：NX 封装：SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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2N7002KDW 复合场效应管 60 115mA/0.115A SOT-363/SC70-6 marking/标记 K27 电池供电系统应用 |
2N7002KDW
标记：K27 封装：SOT-363/SC70-6 |
PANJIT | 3000 | 立即订购 |
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DMN601TK N 沟道增强型场效应管 60V 0.3A SOT523 代码 7K 低输入/输出漏 |
DMN601TK
标记：7K 封装：SOT-523 |
DIODES | 1200 | 立即订购 |
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DMN2400UV-7 双N沟道增强型MOSFET 20V 1.33A SOT363 代码 24N |
DMN2400UV-7
标记：24N 封装：SOT-563 |
DIODES | 0 | 立即订购 |
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RW1E014SN N 沟道场效应管 30V 1.4A SOT563 代码 PN 低导通电阻、高开关速度 |
RW1E014SN
标记：PN 封装：SOT-563 |
ROHM | 6500 | 立即订购 |
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SI5403DC P 沟道场效应管 -30V -6A 1206-8 代码 BQL |
SI5403DC
标记：BQL 封装：1206-8 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SSM3K17SU N沟道MOSFET SOT-323/USM/SC-70 marking/标记 DM |
SSM3K17SU
标记：DM 封装：SOT-323/USM/SC-70 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
