| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
SSM3J134TU P沟道MOS场效应管 -20V -3.2A 0.0785ohm SOT-323 marking/标记 JJM 电源管理开关 高速开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM3J134TU
标记：JJM 封装：SOT-323/SC70/UFM |
TOSHIBA | 60000 | 立即订购 |
|
|
2N7002DW 复合场效应管 60 115mA/0.115A SOT-363/SC70-6 marking/标记 2N 快速开关 双N沟道 |
2N7002DW
标记：2N 封装：SOT-363/SC70-6 |
FAIRCHILD | 2800 | 立即订购 |
|
|
SSM3K43FS N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-523/SSM marking/标记 NS 高效率PWM优化 |
SSM3K43FS
标记：NS 封装：SOT-523/SSM |
TOSHIBA | 75000 | 立即订购 |
|
|
SSM3J314T p沟道场效应管 -30v -3.5A SOT23 代码 KDU 高速开关 4.0 v驱动 |
SSM3J314T
标记：KDU 封装：SOT-23 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
|
|
SSM3J129TU P沟道MOS场效应管 -20V -4.6A 0.037ohm SOT-323 marking/标记 JJE 电源管理开关 高速开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM3J129TU
标记：JJE 封装：SOT-323/SC70/UFM |
TOSHIBA | 72000 | 立即订购 |
|
|
SSM6J212FE P沟道MOS场效应管 -20V -4A 0.0353ohm SOT-563 marking/标记 PQ 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM6J212FE
标记：PQ 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
|
|
TPCF8302 复合场效应管 -20V -3A 1206-8/vs-8 marking/标记 F5B 低漏源导通电阻 |
TPCF8302
标记：F5B 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 232000 | 立即订购 |
|
|
DMP3030SN-7 P沟道增强型场效应管 30V 0.7A SOT23 代码 PS2 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快。 |
DMP3030SN-7
标记：PS2 封装：SOT-23 |
DIODES | 3200 | 立即订购 |
|
|
SI2305ADS-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -8V -5.4A 0.032ohm SOT-23 marking/标记 5AA |
SI2305ADS-T1-GE3
标记：5AA 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
|
|
2N7002W N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-323/SC-70 marking/标记 72W 低导通电阻/低栅极阈值电压/低输入电容/高速开关 |
2N7002W
标记：12N 封装：SOT-323/SC-70 |
FAIRCHILD | 202605 | 立即订购 |
|
|
SI8424DB-T1-E1 N沟道MOSFET 8V 12.2A 2X2 4-MFP marking/标记 8424 低导通电阻/低电压驱动 |
SI8424DB-T1-E1
标记：8424 封装：2X2 4-MFP |
VISHAY | 2303 | 立即订购 |
|
|
结型N沟道复合场效应管 2SK2145-BL 50V 6mA~14mA SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV 标记XL |
2SK2145-BL
标记：XL 封装：SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
