| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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MCH3411 N沟道MOSFET 30V 3A SOT-323/SC-70 marking/标记 KL 低导通电阻/低栅极电荷/快速开关 |
MCH3411
标记：KL 封装：SOT-323/SC-70 |
SANYO | 29000 | 立即订购 |
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MGF4954A MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V 2520 marking/标记 B2 高频应用/低噪声 |
MGF4954A
标记：B2 封装：2520 |
MITSUBISHI | 2886 | 立即订购 |
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MGF4953A MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V 2520 marking/标记 B3 高频应用/低噪声 |
MGF4953A
标记：B3 封装：2520 |
MITSUBISHI | 0 | 立即订购 |
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MI2302-SM N沟道MOSFET 20V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 MCS 高速开关 |
MI2302-SM
标记：MCS 封装：SOT-23/SC-59 |
EGASYS ELEC | 2900 | 立即订购 |
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SI3458DV N沟道MOSFET 60V 3.2A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 58 |
SI3458DV
标记：58 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
VISHAY | 300 | 立即订购 |
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SM2301 P沟道MOS场效应管 -20V -550mA 0.6ohm SOT-23 marking/标记 SO16G 小型封装 快速开关 |
SM2301
标记：SO16G 封装：SOT-23/SC-59 |
SEM | 600 | 立即订购 |
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SSM3K15TE N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-623/TESM marking/标记 DP |
SSM3K15TE
标记：DP 封装：SOT-623/TESM |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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UPA509TA NPN三极管+结型N沟道场效应管 SOT153 代码 UW |
UPA509TA
标记：UW 封装：SOT-153 |
NEC | 450 | 立即订购 |
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US6M2 复合场效应管 30V/-20V 1.5A/1.0A SOT-363/SC70-6/UMT6 marking/标记 M02 高速开关 2.5V驱动 |
US6M2
标记：M02 封装：SOT-363/SC70-6/UMT6 |
ROHM | 0 | 立即订购 |
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WPM2301-3/TR P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.055ohm SOT-23 marking/标记 WT1 超高速开关 低导通电阻 |
WPM2301-3/TR
标记：WT1 封装：SOT-23/SC-59 |
SEM | 300 | 立即订购 |
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HAT2204C n沟道场效应管 12V 3.5A SOT363 代码 VU 低导通电阻 低驱动电流 |
HAT2204C
标记：VU 封装：SOT-363 |
RENESAS | 2800 | 立即订购 |
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2N7002K N沟道MOSFET 60V 340mA/0.34A SOT-23/SC-59 marking/标记 K72 逻辑电平兼容/高速开关 |
2N7002K
标记：K72 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
