| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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BF909 N沟道MOSFET 7V 40mA SOT-143 marking/标记 WM3 低噪声增益控制放大器 |
BF909
标记：M28 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 13000 | 立即订购 |
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2SK1646 MESFET-N沟道 6V 30mA-50mA -0.5V -- -5V SOT-143 marking/标记 1W4 高频应用/C X-波段本地振荡器和放大器 |
2SK1646
标记：IW4 封装：SOT-143/CP4 |
SANYO | 23800 | 立即订购 |
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3SK127 N沟道MOSFET 15V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UE 高级交叉调制性能/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器系数 |
3SK127
标记：UD 封装：SOT-143/SOT-24/SC-61 |
TOSHIBA | 20490 | 立即订购 |
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NTR0202PLT1 P沟道MOS场效应管 -20V -400mA 0.55ohm SOT-23 marking/标记 PL 高效率 低导通电阻 |
NTR0202PLT1
标记：PL 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 4500 | 立即订购 |
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CPH6413 复合场效应管 20V 5A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 KP 超高速开关 2.5V驱动 |
CPH6413
标记：KP 封装：SOT-163/SOT23-6/CPH6 |
SANYO | 1500 | 立即订购 |
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SI1501DL 复合场效应管 20V/-20V 250mA/-180mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 rn |
SI1501DL
标记：rn 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 3000 | 立即订购 |
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2SJ302-Z-E1 P沟道MOS场效应管 -60V 16A 0.1ohm SOT-263 marking/标记 J302 低导通电阻 |
2SJ302-Z-E1
标记：J302 封装：TO-263 |
NEC | 200 | 立即订购 |
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ZXM61N02FTA N沟道MOSFET 20V 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 N02 高速开关/低导通电阻 |
ZXM61N02FTA
标记：n02 封装：SOT-23/SC-59 |
ZETEX | 700 | 立即订购 |
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BSS123LT1 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容 |
BSS123LT1
标记：SA 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 0 | 立即订购 |
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MMFT107T1 N沟道MOSFET 200V 250mA/0.25A SOT-23/SC-59 marking/标记 FT107 高速开关/低导通电阻/低电压驱动 |
MMFT107T1
标记：FT107 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 0 | 立即订购 |
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BF998R N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143 marking/标记 MR 低导通电阻/优良的热稳定性 |
BF998R
标记：MOP 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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3SK238XW N沟道MOSFET 12V 35mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 XW 低电压操作/高增益/低噪声增益控制放大器 |
3SK238XW
标记：XW 封装：SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 3500 | 立即订购 |
