| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2N7002T-7-F N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-523 marking/标记 72 低导通电阻/低栅极阈值电压/低输入电容/高速开关 |
2N7002T-7-F
标记：72 封装：SOT-523 |
DIODES | 0 | 立即订购 |
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NTHD2102PT1G 复合场效应管 -8V -3.4A 1206-8/vs-8 marking/标记 D5X 功率MOSFET DC/DC转换 |
NTHD2102PT1G
标记：D5X 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
ON | 11900 | 立即订购 |
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ZXMN7A11KTC N沟道MOSFET 70V 6.1A TO-252/D-PAK marking/标记 ZXMN7A11 高速开关/低导通电阻 |
ZXMN7A11KTC
标记：ZXMN7A101 封装：TO-252/D-PAK |
ZETEX | 0 | 立即订购 |
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IRF5852TR 复合场效应管 20V 2.7A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 EE 超低导通电阻 |
IRF5852TR
标记：EE 封装：SOT-163/SOT23-6 |
IR | 6000 | 立即订购 |
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MTM86627A 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2A 800mA/0.8A 0.47V SOT-563/WSSMin6 marking/标记 QK DC-DC转换器/低驱动电压/低漏源导通电阻 |
MTM86627A
标记：QK 封装：SOT-563/WSSMin6 |
Panasonic | 75000 | 立即订购 |
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3SK295 N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 ZQ 低噪声增益控制放大器/低电压操作 |
3SK295
标记：ZQ 封装：SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 2800 | 立即订购 |
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3SK157 |
3SK157
标记：J15 封装：SOT-143 |
NEC | 1400 | 立即订购 |
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BF1102 复合场效应管 7 40mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 W1 双N沟道 低噪声放大 |
BF1102
标记：W1 封装：SOT-363/SC70-6 |
NXP/PHILIPS | 6000 | 立即订购 |
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KTK211GR N沟道结型场效应管 18v 1~15mA SOT-23 marking/标记 KG 高频 |
KTK211GR
标记：KG 封装：SOT-23/SC-59 |
KEC | 1600 | 立即订购 |
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SST508 P沟道结型场效应管 45 V SOT-23 marking/标记 H5 恒定电流供应/限流/时序电路 |
SST508
标记：H5 封装：SOT-23/SC59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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BF2040R N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-143 marking/标记 NF 低噪声增益控制放大器 |
BF2040R
标记：NF 封装：SOT-143 |
INFINEON | 2800 | 立即订购 |
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BB303MCW N 沟道场效应管 7V 25MA SOT143 代码 CW VHF / UHF RF放大器 |
BB303MCW
标记：CW 封装：SOT-143 |
HITACHI | 2600 | 立即订购 |
