| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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BF1102 复合场效应管 7 40mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 W1 双N沟道 低噪声放大 |
BF1102
标记：W1 封装：SOT-363/SC70-6 |
NXP/PHILIPS | 6000 | 立即订购 |
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KTK211GR N沟道结型场效应管 18v 1~15mA SOT-23 marking/标记 KG 高频 |
KTK211GR
标记：KG 封装：SOT-23/SC-59 |
KEC | 1600 | 立即订购 |
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SST508 P沟道结型场效应管 45 V SOT-23 marking/标记 H5 恒定电流供应/限流/时序电路 |
SST508
标记：H5 封装：SOT-23/SC59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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BF2040R N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-143 marking/标记 NF 低噪声增益控制放大器 |
BF2040R
标记：NF 封装：SOT-143 |
INFINEON | 2800 | 立即订购 |
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BB303MCW N 沟道场效应管 7V 25MA SOT143 代码 CW VHF / UHF RF放大器 |
BB303MCW
标记：CW 封装：SOT-143 |
HITACHI | 2600 | 立即订购 |
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BF995FD-GS08 N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-143 marking/标记 MB 高速开关/低导通电阻 |
BF995FD-GS08
标记：MB 封装：SOT-143 |
VISHAY | 2500 | 立即订购 |
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BF1108R N沟道MOSFET 3V 10mA SOT-143 marking/标记 NH 低传导损耗/低开关损耗 |
BF1108R
标记：NH 封装：SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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RTQ035N03 N沟道MOSFET 30V 2.5A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 QP |
RTQ035N03
标记：qp 封装：SOT-323/SC-70/UMT3 |
rohm | 120000 | 立即订购 |
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ZXM61P03FTA P沟道MOS场效应管 -30V -1.1A 0.35ohm SOT-23 marking/标记 P03 低导通电阻 快速开关 |
ZXM61P03FTA
标记：P03 封装：SOT-23/SC-59 |
ZETEX | 3388 | 立即订购 |
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2sk2046 N沟道MOSFET 30V 12A TO-252/TP-FA marking/标记 k2046 低导通电阻/超高速开关/低电压驱动 |
2sk2046
标记：k2046 封装：TO-252/TP-FA |
sanyo | 0 | 立即订购 |
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MTM78E2B0LBFTR-ND 复合场效应管 20V 4A WMini8-F1 marking/标记 5A 电池保护 2.85V驱动 |
MTM78E2B0LBFTR-ND
标记：5A 封装：WMini8-F1 |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
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MTM86227 N沟道MOSFET 20V 2.2A SOT-563/ES6 marking/标记 JF 高速开关/低导通电阻 |
MTM86227
标记：JF 封装：SOT-563/ES6 |
Panasonic | 342000 | 立即订购 |
