| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SSM3J15FS P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻 |
SSM3J15FS
标记：DQ 封装：SOT-523/SSM |
TOSHIBA | 352250 | 立即订购 |
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FDJ129 P沟道MOS场效应管 -20V -4.2A 120毫欧 Vth:-0.6~-1.5V SC75-6 marking/标记 A 负载开关 电源管理 |
FDJ129P
标记：A 封装：SC75-6 |
FAIRCHILD | 3000 | 立即订购 |
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CPH3307 P沟道MOS场效应管 -20V -3A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 JG 超高速开关 2.5V驱动 |
CPH3307
标记：JG 封装：SOT-23/SC-59 |
SANYO | 600 | 立即订购 |
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BSL207SP P 沟道场效应管 -20V -6A SOT163 代码 PA OptiMOS-P小信号晶体管 增强模式 |
BSL207SP
标记：PA 封装：SOT-163 |
INFINEON | 1500 | 立即订购 |
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RSQ030P03 P沟道MOS场效应管 -30V -3A 140毫欧 SOT-163 marking/标记 TN 低导通电阻 高速开关 低电压驱动 |
RSQ030P03
标记：TN 封装：SOT-163/SOT23-6/TSMT6 |
ROHM | 2500 | 立即订购 |
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MCH6305 P沟道MOS场效应管 -20V -4A 0.05ohm SOT-363 marking/标记 JE 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动 |
MCH6305
标记：JE 封装：SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
SANYO | 80290 | 立即订购 |
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TPCF8104 P沟道MOS场效应管 -30V -6A 28毫欧 vs-8 marking/标记 F3D 便携式设备应用 低漏电流 低导通电阻 |
TPCF8104
标记：F3D 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SI3447DV P沟道MOS场效应管 -12V 5.2A 0.040ohm SOT-153 marking/标记 47 |
SI3447DV
标记：47 封装：SOT-153/SOT23-5 |
VISHAY | 12328 | 立即订购 |
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SMG1333 P沟道MOS场效应管 -20V -550mA 0.6ohm SOT-23 marking/标记 1333 小型封装 快速开关 |
SMG1333
标记：1333 封装：SOT-23/SC-59 |
SECOS | 2000 | 立即订购 |
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SI2301DS P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.105ohm SOT-23 marking/标记 A1 |
SI2301DS
标记：A1 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 2000 | 立即订购 |
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2SJ586 P沟道MOS场效应管 -20V -100mA/0.1A 4.1ohm SOT-323 marking/标记 CP 低导通电阻 高速开关 |
2SJ586
标记：CP 封装：SOT-323/SC70/CMPAK |
HITACHI | 65400 | 立即订购 |
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BSS84TC P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 6ohm SOT-23 marking/标记 SP 垂直DMOS FET |
BSS84TC
标记：SP 封装：SOT-23/SC-59 |
ZETEX | 20000 | 立即订购 |
