| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SSM3J109TU P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.091ohm SOT-323 marking/标记 JJ2 高速开关 1.8V驱动 低导通电阻 |
SSM3J109TU
标记：JJ2 封装：SOT-323/SC70/UFM |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SI5403DC P 沟道场效应管 -30V -6A 1206-8 代码 BQL |
SI5403DC
标记：BQL 封装：1206-8 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SSM6J503NU P沟道MOS场效应管 -20V -600mA 0.0277ohm Vth:-0.8--1.0V UDFN6B marking/标记 SP3 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM6J503NU
标记：SP3 封装：UDFN6B |
TOSHIBA | 240000 | 立即订购 |
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SI8413DB-T1-E1 P沟道MOS场效应管 -20V -6.5A 0.0393ohm Vth:-0.6V-1.4V 2X2 4-MFP marking/标记 8413 |
SI8413DB-T1-E1
标记：8413 封装：2X2 4-MFP |
VISHAY | 225000 | 立即订购 |
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SSM3J15FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻 |
SSM3J15FV
标记：DQ 封装：SOT-723/VESM |
TOSHIBA | 317640 | 立即订购 |
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SSM3J01T P沟道MOS场效应管 -30V -1.7A 0.3ohm SOT-23 marking/标记 DE 高速开关 电源管理开关 |
SSM3J01T
标记：DE 封装：SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 20200 | 立即订购 |
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LP2301LT1G P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.069ohm SOT-23 marking/标记 1 简单驱动要求 小型封装 |
LP2301LT1G
标记：1 封装：SOT-23/SC-59 |
LRC | 0 | 立即订购 |
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2SJ634 P沟道MOS场效应管 -60V -8A 0.105ohm SOT-252 marking/标记 J634 |
2SJ634
标记：J634 封装：TO-252 |
SANYO | 4700 | 立即订购 |
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AP2603GY P沟道MOS场效应管 -20V -5A 0.053ohm SOT-163 marking/标记 Y3 快速开关 2.5V驱动 |
AP2603GY
标记：Y3 封装：SOT-163/SOT23-6 |
富鼎 | 11990 | 立即订购 |
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SSM6J213FE P沟道MOS场效应管 -20V -2.6A 250毫欧 SOT-563 marking/标记 PS 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM6J213FE
标记：PS 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 84000 | 立即订购 |
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DMP2160U-7 P-沟道增强型场效应管 -20V -3,.3A SOT23 代码 DMF 低输入电容电源管理 |
DMP2160U-7
标记：DMF 封装：SOT-23 |
DIODES | 188935 | 立即订购 |
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SSM6J26FE P沟道MOS场效应管 -20V -500mA 980毫欧 SOT-563 marking/标记 PI 高速开关 低导通电阻 |
SSM6J26FE
标记：PI 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 29400 | 立即订购 |
