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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
SSM3J109TU P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.091ohm SOT-323 marking/标记 JJ2 高速开关 1.8V驱动 低导通电阻 SSM3J109TU
标记:JJ2
封装:SOT-323/SC70/UFM
TOSHIBA 0 立即订购
SI5403DC P 沟道场效应管 -30V -6A 1206-8 代码 BQL SI5403DC
标记:BQL
封装:1206-8
VISHAY 0 立即订购
SSM6J503NU P沟道MOS场效应管 -20V -600mA 0.0277ohm Vth:-0.8--1.0V UDFN6B marking/标记 SP3 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 SSM6J503NU
标记:SP3
封装:UDFN6B
TOSHIBA 240000 立即订购
SI8413DB-T1-E1 P沟道MOS场效应管 -20V -6.5A 0.0393ohm Vth:-0.6V-1.4V 2X2 4-MFP marking/标记 8413 SI8413DB-T1-E1
标记:8413
封装:2X2 4-MFP
VISHAY 225000 立即订购
SSM3J15FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻 SSM3J15FV
标记:DQ
封装:SOT-723/VESM
TOSHIBA 317640 立即订购
SSM3J01T P沟道MOS场效应管 -30V -1.7A 0.3ohm SOT-23 marking/标记 DE 高速开关 电源管理开关 SSM3J01T
标记:DE
封装:SOT-23/SC-59
TOSHIBA 20200 立即订购
LP2301LT1G P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.069ohm SOT-23 marking/标记 1 简单驱动要求 小型封装 LP2301LT1G
标记:1
封装:SOT-23/SC-59
LRC 0 立即订购
2SJ634 P沟道MOS场效应管 -60V -8A 0.105ohm SOT-252 marking/标记 J634 2SJ634
标记:J634
封装:TO-252
SANYO 4700 立即订购
AP2603GY P沟道MOS场效应管 -20V -5A 0.053ohm SOT-163 marking/标记 Y3 快速开关 2.5V驱动 AP2603GY
标记:Y3
封装:SOT-163/SOT23-6
富鼎 11990 立即订购
SSM6J213FE P沟道MOS场效应管 -20V -2.6A 250毫欧 SOT-563 marking/标记 PS 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 SSM6J213FE
标记:PS
封装:SOT-563/ES6
TOSHIBA 84000 立即订购
DMP2160U-7 P-沟道增强型场效应管 -20V -3,.3A SOT23 代码 DMF 低输入电容电源管理 DMP2160U-7
标记:DMF
封装:SOT-23
DIODES 188935 立即订购
SSM6J26FE P沟道MOS场效应管 -20V -500mA 980毫欧 SOT-563 marking/标记 PI 高速开关 低导通电阻 SSM6J26FE
标记:PI
封装:SOT-563/ES6
TOSHIBA 29400 立即订购
总数:645

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