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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
FDC638P P沟道MOS场效应管 -20V -2.8A 0.11ohm SOT-163 marking/标记 638 FDC638P
标记:638
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 5200 立即订购
FDC636P P沟道MOS场效应管 -20V -2.8A 180毫欧 SOT-163 marking/标记 636 低导通电阻 FDC636P
标记:636
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 0 立即订购
FDC634P P沟道MOS场效应管 -20V -350mA 0.07ohm SOT-163 marking/标记 634 FDC634P
标记:634
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 93000 立即订购
FDC604P P沟道MOS场效应管 -20V -5.5A 60毫欧 SOT-163 marking/标记 604 功率MOSFET DC/DC转换 负载开关 电源管理 FDC604P
标记:604
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 1174 立即订购
FDC602P P沟道MOS场效应管 -12V -5.5A 52毫欧 SOT-163 marking/标记 602 功率MOSFET DC/DC转换 负载开关 电源管理 FDC602P
标记:602
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 590 立即订购
FDC5614P P沟道MOS场效应管 -60V -3A 135毫欧 SOT-163 marking/标记 564C 功率MOSFET DC/DC转换 负载开关 电源管理 FDC5614P
标记:564C
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 0 立即订购
ECH8302-TL-E P沟道MOS场效应管 -30V -7A 48毫欧 Vth:-1~-2.4V ECH8 marking/标记 JB 低导通电阻 通用开关 4V驱动 ECH8302-TL-E
标记:JB
封装:ECH8
SANYO 2280 立即订购
ECH8301 P沟道MOS场效应管 -20V -8A 37毫欧 Vth:-0.4~-1.3V ECH8 marking/标记 JA 低导通电阻 超高速开关 ECH8301
标记:JA
封装:ECH8
SANYO 4066 立即订购
EC4304C P沟道MOS场效应管 -30V -250mA 1.5ohm Vth:-0.4--1.4V ECSP1008-4 marking/标记 V 高速开关 2.5V驱动 ESD保护 EC4304C
标记:V
封装:ECSP1008-4
SANYO 6000 立即订购
NTMD2P01R2 P沟道MOS场效应管 -16V -2.3A 150毫欧 Vth:-0.5~-1.5V 8脚 marking/标记 D2P01 功率MOSFET 低导通电阻 便携式设备应用 NTMD2P01R2
标记:D2P01
封装:SOIC8
ON 8 立即订购
CPH6313 P沟道MOS场效应管 -20V -4A 0.0055ohm SOT-163 marking/标记 超高速开关 2.5V驱动 CPH6313
标记:
封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6
SANYO 3000 立即订购
CPH6303 P沟道MOS场效应管 -20V -4A 0.07ohm SOT-163 marking/标记 JC 超高速开关 2.5V驱动 CPH6303
标记:JC
封装:SOT-163/SOT23-6/CPH6
SANYO 15350 立即订购
总数:645

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