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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
NDS356AP P沟道MOS场效应管 -30V -1.1A 0.25ohm SOT-23 marking/标记 356A NDS356AP
标记:356A
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 2900 立即订购
NDS356 P沟道MOS场效应管 -30V -1.1A 0.25ohm SOT-23 marking/标记 356 NDS356
标记:356
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 300 立即订购
NDS355N N沟道MOSFET 30V 1.6A SOT-23/SC-59 marking/标记 355 低电压应用 NDS355N
标记:355
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 0 立即订购
NDS355AN N沟道MOSFET 30V 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 355 低电压应用 NDS355AN
标记:355A
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 1244 立即订购
NDS352P P沟道MOS场效应管 -20V 850mA 0.46ohm SOT-23 marking/标记 352 NDS352P
标记:352
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 7500 立即订购
NDS352AP P沟道MOS场效应管 -30V 0.9A 0.45ohm SOT-23 marking/标记 352A NDS352AP
标记:352A
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 53900 立即订购
NDS351N N沟道MOSFET 30V 1.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 351 低电压应用 NDS351N
标记:351
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 190 立即订购
NDS351AN N沟道MOSFET 30V 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 351A 高密度电池设计/良好导通电阻/最大DC电流能力 NDS351AN
标记:351A
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 0 立即订购
NDS336P P沟道MOS场效应管 -30V 0.9A 0.45ohm SOT-23 marking/标记 336 NDS336P
标记:336
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 21500 立即订购
NDS335N N沟道MOSFET 20V 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 335 高密度电池设计/良好导通电阻/最大DC电流能力 NDS335N
标记:335
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 7200 立即订购
NDS332P P沟道MOS场效应管 -20V -1A 0.035ohm SOT-23 marking/标记 332 低导通电阻 小型封装 4v驱动 NDS332P
标记:332
封装:SOT-23/SC-59
FAIRCHILD 2560 立即订购
NDS331N N沟道MOSFET 20V 4.1A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 331 高密度电池设计 NDS331N
标记:331
封装:SOT-163/SOT23-6
FAIRCHILD 0 立即订购
总数:2520

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