| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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UPA1916TE P沟道MOS场效应管 -12V 4.5A 0.03ohm SOT-163 marking/标记 TL 4V驱动 低导通电阻 |
UPA1916TE
标记：TL 封装：SOT-163/SOT23-6 |
NEC | 12700 | 立即订购 |
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UPA1915TE P沟道MOS场效应管 -20V 4.5A 0.045ohm SOT-163 marking/标记 TH 4V驱动 低导通电阻 |
UPA1915TE
标记：TH 封装：SOT-163/SOT23-6 |
NEC | 3800 | 立即订购 |
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UPA1914TE P沟道MOS场效应管 -30V 4.5A 0.043ohm SOT-163 marking/标记 TF 4V驱动 低导通电阻 |
UPA1914TE
标记：TF 封装：SOT-163/SOT23-6 |
NEC | 5000 | 立即订购 |
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UPA1913TE-T1 P沟道MOS场效应管 -20V 4.5A 0.044ohm SOT-163 marking/标记 TE 2.5V驱动 低导通电阻 |
UPA1913TE-T1
标记：TE 封装：SOT-163/SOT23-6 |
NEC | 4500 | 立即订购 |
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UPA1912TE-T1 P沟道MOS场效应管 -12V 4.5A 0.039ohm SOT-163 marking/标记 TD 2.5V驱动 低导通电阻 |
UPA1912TE-T1
标记：TD 封装：SOT-163/SOT23-6 |
NEC | 27200 | 立即订购 |
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UPA1911TE P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.080ohm SOT-163 marking/标记 TC 2.5V驱动 低导通电阻 |
UPA1911TE
标记：TC 封装：SOT-163/SOT23-6 |
NEC | 7300 | 立即订购 |
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UPA1731G P沟道MOS场效应管 -30V 1mA 13毫欧 SO8 marking/标记 A1731 低导通电阻 电源管理应用 |
UPA1731G
标记：A1731 封装：SO8/SOIC8/SOP8 |
NEC | 115 | 立即订购 |
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UPA1716 P沟道MOS场效应管 -30V 8A 16毫欧 SO8 marking/标记 A1716 高效率DC/DC转换 低漏电流 低导通电阻 |
UPA1716
标记：A1716 封装：SO8/SOIC8/SOP8 |
NEC | 101 | 立即订购 |
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TPCF8102 P沟道MOS场效应管 -20V -6A 30毫欧 vs-8 marking/标记 F3B 便携式设备应用 低漏电流 |
TPCF8102
标记：F3B 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 50 | 立即订购 |
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TPC6105 P沟道MOS场效应管 -20V -2.7A 110毫欧 SOT-163 marking/标记 S3E 便携式设备应用 低漏电流 低导通电阻 |
TPC6105
标记：S3E 封装：SOT-163/SOT23-6/VS-6 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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TPC6104 P沟道MOS场效应管 -20V -5.5A 0.033ohm SOT-163 marking/标记 S3D 便携式设备应用 低漏电流 |
TPC6104
标记：S3D 封装：SOT-163/SOT23-6/VS-6 |
TOSHIBA | 146560 | 立即订购 |
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TPC6103 P沟道MOS场效应管 -12V -5.5A 0.029ohm SOT-163 marking/标记 S3C 便携式设备应用 低漏电流 |
TPC6103
标记：S3C 封装：SOT-163/SOT23-6/VS-6 |
TOSHIBA | 32300 | 立即订购 |
