| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2SJ668 P沟道MOS场效应管Vds= -60V Id=-5A Rds=0.16~0.25ohm SOT-252 marking/标记 J668 |
2SJ668
标记：J668 封装：SOT-252 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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TPCF8105 P沟道场效应管 -20V -6A SOT23-8 代码 F3E 增强型 低漏电流 低漏源电阻 |
TPCF8105
标记：F3E 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SI7123DN-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -20V -16A 0.0086ohm Vth:-0.4V-1.0V 1212-8 marking/标记 7123 功率MOSFET 超低导通电阻 |
SI7123DN-T1-GE3
标记：7123 封装：1212-8 |
VISHAY | 803000 | 立即订购 |
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DMG1013T-7 P沟道MOS场效应管 -20V -460mA 0.5ohm SOT-523 marking/标记 PA1 快速开关 低开启电压 |
DMG1013T-7
标记：PA1 封装：SOT-523 |
DIODES | 640 | 立即订购 |
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SSM3J327R P沟道MOS场效应管 -20V -3.9A 0.07855ohm SOT-23 marking/标记 KFG 电源管理开关 1.8V驱动 低导通电阻 |
SSM3J327R
标记：KFG 封装：SOT-23/SC-59 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM6J402TU P沟道MOS场效应管 -30V -2A 225毫欧 SOT-363 marking/标记 KPE 高速开关 DC/DC转换 低导通电阻 |
SSM6J402TU
标记：KPE 封装：SOT-363/SC70-6/US6 |
TOSHIBA | 800 | 立即订购 |
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RZM002P02 P沟道MOS场效应管 -20V 250mA 0.8ohm SOT-723 marking/标记 YK 高速开关 1.2V超低电压驱动 |
RZM002P02
标记：YK 封装：sot-723/VMT3 |
ROHM | 0 | 立即订购 |
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RQ1E070RP P 沟道场效应管 -30V -7A TSMT8 代码 UE 较低的导通电阻 4 v驱动。 |
RQ1E070RP
标记：UE 封装：TSMT8 |
ROHM | 0 | 立即订购 |
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XP152A11E5MR P沟道MOS场效应管 -30V -0.7A 0.20ohm SOT-23 marking/标记 211 超高速开关 低导通电阻 内置栅极保护二极管 |
XP152A11E5MR
标记：211 封装：SOT-23/SC-59 |
TOREX | 100 | 立即订购 |
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SI1413EDH P沟道MOS场效应管 -20V -2.9A 0.095ohm SOT-363 marking/标记 BAD 功率MOSFET 3000VESD保护 |
SI1413EDH
标记：BAD 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 35800 | 立即订购 |
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SSM3J135TU P沟道MOS场效应管 -20V -3A 0.079ohm SOT-323 marking/标记 JJN 电源管理开关 高速开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM3J135TU
标记：JJN 封装：SOT-323/SC70/UFM |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM6J23FE P沟道MOS场效应管 -12V -1.2A 0.11ohm SOT-563 marking/标记 KE 高电流开关 DC/DC转换 低导通电阻 |
SSM6J23FE
标记：KE 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 112400 | 立即订购 |
