| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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FDS6690A N沟道MOSFET 30V 11A 8-SOIC marking/标记 FDS6690A 低漏源导通电阻 |
FDS6690A
标记：FDS6690A 封装：8-SOIC |
FAIRCHILD | 8 | 立即订购 |
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2N7002-T1 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 72 低导通电阻 |
2N7002-T1
标记：72 封装：SOT-23/SC-59 |
SILICONIX | 12000 | 立即订购 |
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2N7002-T1 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 702 高速开关 |
2N7002-T1
标记：702 封装：SOT-23/SC-59 |
SILICONIX | 3000 | 立即订购 |
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2N7002E-T1 N沟道MOSFET 60V 240mA/0.24A SOT-23/SC-59 marking/标记 7ES 低漏源导通电阻 |
2N7002E-T1
标记：7ES 封装：SOT-23/SC-59 |
SILICONIX | 3000 | 立即订购 |
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2N7002EPT N沟道MOSFET 60V 250mA/0.25A SOT-323/SC-70 marking/标记 6C 低漏源导通电阻 |
2N7002EPT
标记：6C 封装：SOT-323/SC-70 |
CHENMKO | 2750 | 立即订购 |
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ME2N7002KW 复合场效应管 60V 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 702 |
ME2N7002KW
标记：702 封装：SOT-363/SC70-6 |
松木 | 7000 | 立即订购 |
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SSM6J26FE P沟道MOS场效应管 -20V -500mA 980毫欧 SOT-563 marking/标记 PI 高速开关 低导通电阻 |
SSM6J26FE
标记：PI 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 29400 | 立即订购 |
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TPCF8303 复合场效应管 -20V -3A 1206-8/vs-8 marking/标记 F5C 低漏源导通电阻 |
TPCF8303
标记：F5C 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 471100 | 立即订购 |
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UPA1911ATE N沟道MOSFET 20V 2.5A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 TK 高速开关/低导通电阻 |
UPA1911ATE
标记：TK 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
NEC | 22 | 立即订购 |
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CHM2304GP N沟道结型场效应管 30v 8~80mA SOT-23 marking/标记 041Q 低频率，低噪声 |
CHM2304GP
标记：041Q 封装：SOT-23/SC-59 |
CHENMKO | 1200 | 立即订购 |
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SSM6P16FE 复合场效应管 -20V -100mA/-0.1A SOT-563/ES6 marking/标记 DT 高速开关 |
SSM6P16FE
标记：DT 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 300000 | 立即订购 |
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FDMC510P N沟道MOSFET 20V 1.8A MLP3.3x3.3 marking/标记 FDMC510P 低导通电阻/超高速开关/4V驱动器 |
FDMC510P
标记：FDMC510P 封装：MLP3.3x3.3 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
