| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SSM3J16FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DT 高速开关 模拟开关 低导通电阻 |
SSM3J16FV
标记：DT 封装：SOT-723/VESM |
TOSHIBA | 976800 | 立即订购 |
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SSM3J36MFV P沟道MOS场效应管 -20V -330mA 0.95ohm SOT-723 marking/标记 PX 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM3J36MFV
标记：PX 封装：SOT-723/VESM |
TOSHIBA | 469990 | 立即订购 |
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SSM3K102TU N沟道MOSFET 20V 2.6A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KK2 ESD保护/低导通电阻/高速开关 |
SSM3K102TU
标记：KK2 封装：SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 51000 | 立即订购 |
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SGM2014AM MESFET-N沟道 12V 8mA-28mA -2.5V SOT-143 marking/标记 DA 高频应用/低噪音/低交叉调制 |
SGM2014AM
标记：DA 封装：SOT-143/M-254 |
SONY | 150 | 立即订购 |
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SFT1402 N沟道结型场效应管 35v 0.001mA SOT-252 marking/标记 T1402 通用开关 |
SFT1402
标记：T1402 封装：T0-252 |
SANYO | 1300 | 立即订购 |
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S595TR-GS08 N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-143 marking/标记 59R 快速开关 |
S595TR-GS08
标记：59R 封装：SOT-143 |
VISHAY | 6000 | 立即订购 |
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TPC6106 P沟道MOS场效应管 -40V -3.9A 75毫欧 SOT-163 marking/标记 S3F 便携式设备应用 低漏电流 低导通电阻 |
TPC6106
标记：S3F 封装：SOT-163/SOT23-6/VS-6 |
TOSHIBA | 30000 | 立即订购 |
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SSM6J206FE P沟道MOS场效应管 -20V -2A 320毫欧 SOT-563 marking/标记 KR 高速开关 电源管理 1.8V驱动 低导通电阻 |
SSM6J206FE
标记：KR 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 23900 | 立即订购 |
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2SK334-NC N沟道结型场效应晶体管 SOT23 代码 N14 电容式麦克风 |
2SK334-NC
标记：N14 封装：SOT-23(直脚） |
HITACHI | 12000 | 立即订购 |
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HN4K03JU 复合场效应管 20V 100mA/0.1A SOT-353/SC70-5 marking/标记 KP 高速开关 |
HN4K03JU
标记：KP 封装：SOT-353/SC70-5 |
TOSHIBA | 315000 | 立即订购 |
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SIR164DP-T1-GE3 N沟道MOSFET 30V 50A PowerPAKSO-8 marking/标记 R164 低输入电容/高速开关 |
SIR164DP-T1-GE3
标记：R164 封装：PowerPAKSO-8 |
VISHAY | 2000 | 立即订购 |
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ME2N7002D N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 K72 超低导通电阻/快速切换 |
ME2N7002D
标记：K72 封装：SOT-23/SC-59 |
松木 | 6000 | 立即订购 |
