| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SSM6J213FE P沟道MOS场效应管 -20V -2.6A 250毫欧 SOT-563 marking/标记 PS 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM6J213FE
标记：PS 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 84000 | 立即订购 |
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SSM3K36MFV N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-723/VESM marking/标记 NX |
SSM3K36MFV
标记：NX 封装：SOT-723/VESM |
TOSHIBA | 576000 | 立即订购 |
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DMP2160U-7 P-沟道增强型场效应管 -20V -3,.3A SOT23 代码 DMF 低输入电容电源管理 |
DMP2160U-7
标记：DMF 封装：SOT-23 |
DIODES | 188935 | 立即订购 |
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BF511 N沟道结型场效应管 20v 2.5~7mA SOT-23 marking/标记 S7W 射频 |
BF511
标记：S7W 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 3000 | 立即订购 |
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2N7002MTF N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 702 更低的RDS/改进电感耐用性/快速开关/输入电容/改进高温可靠性 |
2N7002MTF
标记：702 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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MCH3443-TL-E N沟道MOSFET 30V 1.5A SOT-323/SC-70 marking/标记 ZU 超低导通电阻 |
MCH3443-TL-E
标记：ZU 封装：SOT-323/SC-70 |
SANYO | 12121 | 立即订购 |
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MMBFJ310LT1G N沟道结型场效应管 25v 24~60mA SOT-23 marking/标记 6T 射频放大器 |
MMBFJ310LT1G
标记：6T 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 0 | 立即订购 |
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SST176-T1 P沟道结型场效应管 30 V －2.0~－35.0mA SOT-23 marking/标记 S6 高速开关/漏极和源极连接的互换性/在零电压/低导通电阻 |
SST176-T1
标记：S6 封装：SOT-23/SC59 |
SILICONIX | 500 | 立即订购 |
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IRLR014TRLPBF N沟道MOSFET 60V 7.7A TO-252/D-PAK marking/标记 LR014 低导通电阻 |
IRLR014TRLPBF
标记：LR014 封装：TO-252/D-PAK |
VISHAY | 3000 | 立即订购 |
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2SK3230B N沟道结型场效应管 20v 0.21~0.35mA SOT-523 marking/标记 CH radio 和电话 |
2SK3230B
标记：CH 封装：SOT-523/SC-75/USM |
NEC | 0 | 立即订购 |
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FDS6692 N沟道MOSFET 30V 12A 8-SOIC marking/标记 FDS6692 低漏源导通电阻 |
FDS6692
标记：FDS6692 封装：8-SOIC |
FAIRCHILD | 20 | 立即订购 |
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RDS035L03 复合场效应管 30V 3.5A SOP-8 marking/标记 RDS035L03 开关应用 |
RDS035L03
标记：RDS035L03 封装：SOP-8 |
ROHM | 50 | 立即订购 |
