| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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BST84 N沟道MOSFET 200V 250mA/0.25A SOT-89 marking/标记 KN 高密度电池设计极低的RDS/压控制小信号开关 |
BST84
标记：KN 封装：SOT-89/SC-62 |
NXP/PHILIPS | 66900 | 立即订购 |
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FDN372S N沟道MOSFET 30V 2.6A SOT-23/SC-59 marking/标记 372 低导通电阻/超高速开关/ESD保护门/低栅极阈值电压 |
FDN372S
标记：372 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 14900 | 立即订购 |
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SI1905BDH-T1-E3 复合场效应管 -8V -630mA/-0.63A SOT-363/SC70-6 marking/标记 DJX 负载开关 |
SI1905BDH-T1-E3
标记：DJX 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 147000 | 立即订购 |
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2SK1931 N沟道MOSFET 200V 5A TO-252/D-PAK marking/标记 K1931 高速功率/低导通电阻/高速开关/低驱动电流 |
2SK1931
标记：K1931 封装：TO-252/D-PAK |
shindengen | 1285 | 立即订购 |
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SI2314EDS N沟道MOSFET 20V 4.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 C4z6a 低导通电阻。 |
SI2314EDS
标记：c4Z6A 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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TPCF8001 N沟道MOSFET 30V 7A vs-8 marking/标记 F2A 高速开关/低导通电阻 |
TPCF8001
标记：F2A 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 3980 | 立即订购 |
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TPCP8301 复合场效应管 -20V -5A PS-8 marking/标记 8301 锂离子电池应用 低导通电阻 |
TPCP8301
标记：8301 封装：PS-8 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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AO6602 复合场效应管 30V/-30V 3.1A/-2.7A SOT-163/SOT23-6/TSOP6 marking/标记 高速逆变电源 |
AO6602
标记： 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
AOS | 3000 | 立即订购 |
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FS10ASJ-06 N沟道MOSFET 60V 10A TO-252/D-PAK marking/标记 FS10J 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FS10ASJ-06
标记：FS10J 封装：TO-252/D-PAK |
MITSUBISHI | 60 | 立即订购 |
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2sk2434 N沟道MOSFET 450V 5A TO-263 marking/标记 k2434 低导通电阻/高速开关 |
2sk2434
标记：k2434 封装：TO-263 |
SANYO | 11990 | 立即订购 |
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2N7002ET1G N沟道MOSFET 60V 260mA/0.26A SOT-23/SC-59 marking/标记 703 低漏源导通电阻 |
2N7002ET1G
标记：703 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 0 | 立即订购 |
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ME2320D-G N沟道MOSFET 30V 3.16A SOT-23/SC-59 marking/标记 WT 超低导通电阻/快速切换 |
ME2320D-G
标记：WT 封装：SOT-23/SC-59 |
松木 | 5800 | 立即订购 |
