| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
2SK3230B N沟道结型场效应管 20v 0.21~0.35mA SOT-523 marking/标记 CH radio 和电话 |
2SK3230B
标记：CH 封装：SOT-523/SC-75/USM |
NEC | 0 | 立即订购 |
|
|
FDS6692 N沟道MOSFET 30V 12A 8-SOIC marking/标记 FDS6692 低漏源导通电阻 |
FDS6692
标记：FDS6692 封装：8-SOIC |
FAIRCHILD | 20 | 立即订购 |
|
|
RDS035L03 复合场效应管 30V 3.5A SOP-8 marking/标记 RDS035L03 开关应用 |
RDS035L03
标记：RDS035L03 封装：SOP-8 |
ROHM | 89 | 立即订购 |
|
|
FDS6680A N沟道MOSFET 30V 12.5A 8-SOIC marking/标记 低漏源导通电阻 |
FDS6680A
标记： 封装：8-SOIC |
FAIRCHILD | 14 | 立即订购 |
|
|
FDS6690A N沟道MOSFET 30V 11A 8-SOIC marking/标记 FDS6690A 低漏源导通电阻 |
FDS6690A
标记：FDS6690A 封装：8-SOIC |
FAIRCHILD | 8 | 立即订购 |
|
|
2N7002-T1 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 72 低导通电阻 |
2N7002-T1
标记：72 封装：SOT-23/SC-59 |
SILICONIX | 12000 | 立即订购 |
|
|
2N7002-T1 N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 702 高速开关 |
2N7002-T1
标记：702 封装：SOT-23/SC-59 |
SILICONIX | 3000 | 立即订购 |
|
|
2N7002E-T1 N沟道MOSFET 60V 240mA/0.24A SOT-23/SC-59 marking/标记 7ES 低漏源导通电阻 |
2N7002E-T1
标记：7ES 封装：SOT-23/SC-59 |
SILICONIX | 3000 | 立即订购 |
|
|
2N7002EPT N沟道MOSFET 60V 250mA/0.25A SOT-323/SC-70 marking/标记 6C 低漏源导通电阻 |
2N7002EPT
标记：6C 封装：SOT-323/SC-70 |
CHENMKO | 2750 | 立即订购 |
|
|
ME2N7002KW 复合场效应管 60V 300mA/0.3A SOT-363/SC70-6 marking/标记 702 |
ME2N7002KW
标记：702 封装：SOT-363/SC70-6 |
松木 | 7000 | 立即订购 |
|
|
SSM6J26FE P沟道MOS场效应管 -20V -500mA 980毫欧 SOT-563 marking/标记 PI 高速开关 低导通电阻 |
SSM6J26FE
标记：PI 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 29400 | 立即订购 |
|
|
TPCF8303 复合场效应管 -20V -3A 1206-8/vs-8 marking/标记 F5C 低漏源导通电阻 |
TPCF8303
标记：F5C 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 471100 | 立即订购 |
