| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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ME2N7002W-G N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 72 超低导通电阻/逻辑电平栅极驱动 |
ME2N7002W-G
标记：72 封装：SOT-23/SC-59 |
松木 | 9000 | 立即订购 |
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SSM3K7002BSU N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-323/USM/SC-70 marking/标记 NM 增强模式/逻辑电平 |
SSM3K7002BSU
标记：NM 封装：SOT-323/USM/SC-70 |
TOSHIBA | 95600 | 立即订购 |
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ME2301A-G N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 WA 快速切换 |
ME2301A-G
标记：WA 封装：SOT-23/SC-59 |
松木 | 2800 | 立即订购 |
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ME2306D-G N沟道MOSFET 30V 3.16A SOT-23/SC-59 marking/标记 WF 超低导通电阻/快速切换 |
ME2306D-G
标记：WF 封装：SOT-23/SC-59 |
松木 | 5000 | 立即订购 |
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SSM5G02TU 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -12V -1A 500mA/0.5A 0.37V SOT-353/SC70-5/UFV5 marking/标记 KED DC-DC转换器 |
SSM5G02TU
标记：KED 封装：SOT-353/SC70-5/UFV5 |
TOSHIBA | 23950 | 立即订购 |
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BSS123TA SOT23 n沟道增强模式垂直DMOS结构场效应晶体管 100V 170MA |
BSS123TA
标记：SA 封装：SOT-23 |
ZETEX | 6000 | 立即订购 |
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SIA913ADJ-T1-GE3 复合场效应管 -12V -4.5A SC70-6L(QFN) 负载开关 |
SIA913ADJ-T1-GE3
标记： 封装：SC70-6L(QFN) |
VISHAY | 84000 | 立即订购 |
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SI2307DS-T1-E3 P沟道MOS场效应管 -30V -3A 0.064ohm SOT-23 marking/标记 A7 |
SI2307DS-T1-E3
标记：A7 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 1588 | 立即订购 |
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SSM6K202FE N沟道MOSFET 30V -2.3A SOT-563/ES6 marking/标记 KL |
SSM6K202FE
标记：KL 封装：SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SI3457DV P沟道MOS场效应管 -30V -4.3A 0.065ohm SOT-163 marking/标记 57 |
SI3457DV
标记：57 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
VISHAY | 7000 | 立即订购 |
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SSM6N09FU 复合场效应管 30V 400mA/0.4A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DJ 高速开关 |
SSM6N09FU
标记：DJ 封装：SOT-363/SC70-6/UF6 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SSM3J110TU P沟道MOS场效应管 -12V -2.3A 0.072ohm SOT-323 marking/标记 JJ3 高速开关 1.8V驱动 低导通电阻 |
SSM3J110TU
标记：JJ3 封装：SOT-323/SC70/UFM |
TOSHIBA | 9000 | 立即订购 |
