| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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FS10ASJ-06 N沟道MOSFET 60V 10A TO-252/D-PAK marking/标记 FS10J 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FS10ASJ-06
标记:FS10J 封装:TO-252/D-PAK |
MITSUBISHI | 60 | 立即订购 |
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2sk2434 N沟道MOSFET 450V 5A TO-263 marking/标记 k2434 低导通电阻/高速开关 |
2sk2434
标记:k2434 封装:TO-263 |
SANYO | 0 | 立即订购 |
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2N7002ET1G N沟道MOSFET 60V 260mA/0.26A SOT-23/SC-59 marking/标记 703 低漏源导通电阻 |
2N7002ET1G
标记:703 封装:SOT-23/SC-59 |
ON | 0 | 立即订购 |
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ME2320D-G N沟道MOSFET 30V 3.16A SOT-23/SC-59 marking/标记 WT 超低导通电阻/快速切换 |
ME2320D-G
标记:WT 封装:SOT-23/SC-59 |
松木 | 5800 | 立即订购 |
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ME2N7002W-G N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 72 超低导通电阻/逻辑电平栅极驱动 |
ME2N7002W-G
标记:72 封装:SOT-23/SC-59 |
松木 | 9000 | 立即订购 |
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SSM3K7002BSU N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-323/USM/SC-70 marking/标记 NM 增强模式/逻辑电平 |
SSM3K7002BSU
标记:NM 封装:SOT-323/USM/SC-70 |
TOSHIBA | 95600 | 立即订购 |
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ME2301A-G N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 WA 快速切换 |
ME2301A-G
标记:WA 封装:SOT-23/SC-59 |
松木 | 2800 | 立即订购 |
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ME2306D-G N沟道MOSFET 30V 3.16A SOT-23/SC-59 marking/标记 WF 超低导通电阻/快速切换 |
ME2306D-G
标记:WF 封装:SOT-23/SC-59 |
松木 | 5000 | 立即订购 |
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SSM5G02TU 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -12V -1A 500mA/0.5A 0.37V SOT-353/SC70-5/UFV5 marking/标记 KED DC-DC转换器 |
SSM5G02TU
标记:KED 封装:SOT-353/SC70-5/UFV5 |
TOSHIBA | 23950 | 立即订购 |
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BSS123TA SOT23 n沟道增强模式垂直DMOS结构场效应晶体管 100V 170MA |
BSS123TA
标记:SA 封装:SOT-23 |
ZETEX | 6000 | 立即订购 |
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SIA913ADJ-T1-GE3 复合场效应管 -12V -4.5A SC70-6L(QFN) 负载开关 |
SIA913ADJ-T1-GE3
标记: 封装:SC70-6L(QFN) |
VISHAY | 84000 | 立即订购 |
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SI2307DS-T1-E3 P沟道MOS场效应管 -30V -3A 0.064ohm SOT-23 marking/标记 A7 |
SI2307DS-T1-E3
标记:A7 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 1588 | 立即订购 |
