| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2SK334-NC N沟道结型场效应晶体管 SOT23 代码 N14 电容式麦克风 |
2SK334-NC
标记：N14 封装：SOT-23(直脚） |
HITACHI | 12000 | 立即订购 |
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HN4K03JU 复合场效应管 20V 100mA/0.1A SOT-353/SC70-5 marking/标记 KP 高速开关 |
HN4K03JU
标记：KP 封装：SOT-353/SC70-5 |
TOSHIBA | 315000 | 立即订购 |
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SIR164DP-T1-GE3 N沟道MOSFET 30V 50A PowerPAKSO-8 marking/标记 R164 低输入电容/高速开关 |
SIR164DP-T1-GE3
标记：R164 封装：PowerPAKSO-8 |
VISHAY | 2000 | 立即订购 |
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ME2N7002D N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 K72 超低导通电阻/快速切换 |
ME2N7002D
标记：K72 封装：SOT-23/SC-59 |
松木 | 6000 | 立即订购 |
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2N7002A-RTK/P N沟道MOSFET 60V 115mA/0.115A SOT-23/SC-59 marking/标记 WB 用于逻辑电平栅极驱动源/高速开关/坚固 |
2N7002A-RTK/P
标记：WB 封装：SOT-23/SC-59 |
KEC | 2980 | 立即订购 |
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SSM3K127TU N沟道MOSFET 30V 2A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KKH |
SSM3K127TU
标记：KKH 封装：SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 48000 | 立即订购 |
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IRF5801TRPBF N沟道MOSFET 600mA/0.6A SOT-163/TSOP-6 marking/标记 低漏源导通电阻 |
IRF5801TRPBF
标记： 封装：SOT-163/TSOP-6 |
IR | 0 | 立即订购 |
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2N7002K-7 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 K7K 晶体管/低导通电阻RDS/低栅极阈值电压/低输入电容/高速开关/设计/ESD保护 |
2N7002K-7
标记：K7K 封装：SOT-23/SC-59 |
DIODES | 27000 | 立即订购 |
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PH6325L N沟道MOSFET SOT-669 marking/标记 6325L 硅栅高速开关/低驱动 |
PH6325L
标记：6325L 封装：SOT-669 |
NXP/PHILIPS | 1500 | 立即订购 |
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2SK3272-01S-TE24R N沟道MOSFET 60V 8A TO-263 marking/标记 SK3272 低导通电阻/高速度开关/无二次击穿/低驱动功率 |
2SK3272-01S-TE24R
标记：SK3272 封装：TO-263 |
FUJI | 810 | 立即订购 |
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MMBF4393 N沟道结型场效应管 30v 5~30mA SOT-23 marking/标记 6G 模拟开关 |
MMBF4393
标记：6G 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 528 | 立即订购 |
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MIC94030YM4 P沟道MOS场效应管 16V 1mA 0.45ohm SOT-143 marking/标记 P30 电源管理 电池供电设备应用 |
MIC94030YM4
标记：P30 封装：SOT-143 |
MICREL | 0 | 立即订购 |
