商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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NTR4503NT1G N沟道MOSFET 30V 2A SOT-23/SC-59 marking/标记 TR3 |
NTR4503NT1G
标记:TR3 封装:SOT-23/SC-59 |
ON | 370 | 立即订购 | |
GM3055 N沟道MOSFET 30V 1.5A SOT-89 marking/标记 3055 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
GM3055
标记:3055 封装:SOT-89/SC-62 |
GTM | 1000 | 立即订购 | |
2N7002K N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 K72 逻辑电平兼容/高速开关 |
2N7002K T/R
标记:K72 封装:SOT-23/SC-59 |
PANJIT | 24000 | 立即订购 | |
ZVN2106GTA N沟道MOSFET 60V 710mA/0.71A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 ZVN2106 高速开关/低导通电阻 |
ZVN2106GTA
标记:ZVN2106 封装:SOT-223/SC-73/TO261-4 |
ZETEX | 2400 | 立即订购 | |
S595TRW-GS08 N沟道MOSFET 8V 30mA SOT-143 marking/标记 W59 |
S595TRW-GS08
标记:W59 封装:SOT-143 |
VISHAY | 2990 | 立即订购 | |
SSM3J113TU P沟道MOS场效应管 -20V -1.7A 0.129ohm SOT-323 marking/标记 JJ6 高速开关 2V驱动 低导通电阻 |
SSM3J113TU
标记:JJ6 封装:SOT-323/SC70/UFM |
TOSHIBA | 2000 | 立即订购 | |
FDZ299P P沟道MOS场效应管 -20V -4.6A 80毫欧 Vth:-0.6~-1.5V BGA marking/标记 B43 DC/DC转换 负载开关 电源管理 |
FDZ299P
标记:B43 封装:BGA |
FAIRCHILD | 12000 | 立即订购 | |
PH4530L N沟道MOSFET 30V 80A SOT-669 marking/标记 4530 硅栅高速开关/低驱动 |
PH4530L
标记:4530 封装:SOT-669 |
NXP/PHILIPS | 18000 | 立即订购 | |
RRQ045P03 P沟道MOS场效应管 -30V -4.5A 53毫欧 SOT-153 marking/标记 UB 低导通电阻 高功率封装 高速开关 |
RRQ045P03
标记:UB 封装:SOT-163/TSMT6 |
ROHM | 200 | 立即订购 | |
RSE002P03 P沟道MOS场效应管 -30V -2A 0.9ohm SOT-363 marking/标记 WP 低导通电阻 4V驱动 |
RSE002P03
标记:WP 封装:SOT-363/SC70-6/TUMT6 |
ROHM | 500 | 立即订购 | |
FDC6302P 复合场效应管 -25V -120mA/-0.12A SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 marking/标记 302 双P沟道 数字FET |
FDC6302P
标记:302 封装:SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 |
FAIRCHILD | 2500 | 立即订购 | |
2SK4067-N-TL-E N沟道MOSFET 30V 8A TO-252/TP-FA marking/标记 K4067 电机驱动 |
2SK4067-N-TL-E
标记:K4067 封装:TO-252/TP-FA |
SANYO | 1186510 | 立即订购 |