| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SI1021R-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -60V -190mA 4ohm SOT-523 marking/标记 FWA 低导通电阻 功率MOSFET 2000VESD保护 |
SI1021R-T1-GE3
标记：FWA 封装：SOT-523/SC-75A/SC-89 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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IRLML5203TR P沟道MOS场效应管 -3A 0.098ohm SOT-23 marking/标记 HC 动态额定雪崩 快速开关 |
IRLML5203TR
标记：hc 封装：SOT-23/SC-59 |
IR | 0 | 立即订购 |
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FDC6020C 复合场效应管 20V/-20V 5.9A/-4.2A SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 marking/标记 020C DC/ DC转换器 负载开关 电机驱动 |
FDC6020C
标记：020c 封装：SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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BSS83P P沟道MOS场效应管 -50V -330mA 1.4ohm SOT-23 marking/标记 ya |
BSS83P
标记：ya 封装：SOT-23/SC-59 |
INFINEON | 33000 | 立即订购 |
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BSS138-7-f N沟道MOSFET 50V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 k38 额定雪崩/逻辑电平 |
BSS138-7-f
标记：k38 封装：SOT-23/SC-59 |
DIODES | 11610 | 立即订购 |
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2SK1875-BL N沟道MOSFET 32mA SOT-323/SC-70/USM marking/标记 RBL 低噪声增益控制放大器电压NV/低频率的阻抗变换 |
2SK1875-BL
标记：RBL 封装：SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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FDV304P P沟道MOS场效应管 -25V -460mA 0.87ohm SOT-23 marking/标记 304 |
FDV304P
标记：304 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 8130 | 立即订购 |
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HAT1047RJ P沟道MOS场效应管 -30V -1.4mA 0.001ohm Vth:-1.0--2.5V SOP-8 marking/标记 1047 低导通电阻 低驱动电流 |
HAT1047RJ
标记：1047 封装：SOP8 |
HITACHI | 140 | 立即订购 |
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SI2307BDS P沟道MOS场效应管 0.061ohm SOT-23 marking/标记 L7 P沟道垂直DMOS |
SI2307BDS
标记：L7 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 200 | 立即订购 |
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2SK848-TD N沟道MOSFET 250V 500mA/0.5A SOT-89 marking/标记 KA 高速开关/低导通电阻 |
2SK848-TD
标记：KA 封装：SOT-89/SC-62/PCP |
SANYO | 1000 | 立即订购 |
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STT5PF20V P沟道MOS场效应管 SOT-163 marking/标记 STPN 功率MOSFET 电池管理应用 DC/DC转换 |
STT5PF20V
标记：STPN 封装：SOT-163/SOT23-6 |
ST | 0 | 立即订购 |
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FW211-TL 复合场效应管 20V 6A SOP-8 marking/标记 W211 DC/DC转换 低导通电阻 2.5V驱动 |
FW211-TL
标记：W211 封装：SOP-8 |
SANYO | 5000 | 立即订购 |
