| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2SK23800S N沟道MOSFET SOT-523 marking/标记 EBS 低频率的阻抗变换 |
2SK23800S
标记：EBS 封装：SOT-523 |
Panasonic | 800 | 立即订购 |
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2SK23800R N沟道MOSFET SOT-523 marking/标记 EBR |
2SK23800R
标记：EBR 封装：SOT-523 |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
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SI3948DV 复合场效应管 30V 2.5A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 48 |
SI3948DV
标记：48 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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2SJ527STR P沟道MOS场效应管 -60V -5A 0.3ohm SOT-252 marking/标记 J527 高速开关 |
2SJ527STR
标记：J527 封装：TO-252/DPAK |
HITACHI | 0 | 立即订购 |
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NTGS3443T1 P沟道MOS场效应管 -20V -2.2A 100毫欧 SOT-163 marking/标记 443 功率MOSFET 低导通电阻 便携式设备应用 |
ntgs3443t1
标记：443 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
on | 40 | 立即订购 |
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MMFT2406T1 N沟道MOSFET 240V 700mA/0.7A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 T2406 高速开关/低导通电阻/低电压驱动 |
MMFT2406T1
标记：T2406 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
ON | 12440 | 立即订购 |
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SI3911DV-T3-E3 复合场效应管 -20V -1.8A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 11 |
SI3911DV-T3-E3
标记：11 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
VISHAY | 376000 | 立即订购 |
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2sk18600T2MC N沟道MOSFET 20V SOT-23/SC-59 marking/标记 1H T 低噪声增益控制放大器电压NV/低频率的阻抗变换 |
2sk18600T2MC
标记：1H T 封装：SOT-23/SC-59 |
Panasonic | 225000 | 立即订购 |
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SN7002NE6327 N沟道MOSFET 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 SN 低反馈电容/低噪声增 |
SN7002NE6327
标记：SN 封装：SOT-23/SC-59 |
INFINEON | 10398 | 立即订购 |
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2N7002G N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 25 低漏源导通电阻 |
2N7002G
标记：25 封装：SOT-23/SC-59 |
Pyramis Corp | 3000 | 立即订购 |
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ME2N7002E N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 S72 超低导通电阻/快速切换 |
ME2N7002E
标记：702 封装：SOT-23/SC-59 |
松木 | 84000 | 立即订购 |
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RK7002A N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 RKS 快速开关/低RDS |
RK7002A
标记：RKS 封装：SOT-23/SC-59 |
ROHM | 2500 | 立即订购 |
