| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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XP161A11A1PR N沟道MOSFET 30V 16A SOT-89 marking/标记 11 高速开关/低导通电阻 |
XP161A11A1PR
标记：11 封装：SOT-89/SC-62 |
TOREX | 150 | 立即订购 |
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TPCF8101 P沟道MOS场效应管 -12V -6A 28毫欧 vs-8 marking/标记 F3A 便携式设备应用 低漏电流 低导通电阻 |
TPCF8101
标记：F3A 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 41000 | 立即订购 |
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CPH3439 N沟道MOSFET 30V 4.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 Z 过载保护/保护电路/低工作输入电流/允许直接驱动 |
CPH3439
标记：Z 封装：SOT-23/SC-59 |
SANYO | 600 | 立即订购 |
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BF996SA-GS08 N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-143 marking/标记 MH 高速开关/低导通电阻 |
BF996SA-GS08
标记：MH 封装：SOT-143 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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2SK3783 N沟道结型场效应管 20v 0.21~0.35mA 4PXSLP04 marking/标记 BH 低噪音 |
2SK3783
标记：BH 封装：4pXSLP04/1006 |
NEC | 42000 | 立即订购 |
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2SK23800S N沟道MOSFET SOT-523 marking/标记 EBS 低频率的阻抗变换 |
2SK23800S
标记：EBS 封装：SOT-523 |
Panasonic | 800 | 立即订购 |
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2SK23800R N沟道MOSFET SOT-523 marking/标记 EBR |
2SK23800R
标记：EBR 封装：SOT-523 |
Panasonic | 0 | 立即订购 |
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SI3948DV 复合场效应管 30V 2.5A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 48 |
SI3948DV
标记：48 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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2SJ527STR P沟道MOS场效应管 -60V -5A 0.3ohm SOT-252 marking/标记 J527 高速开关 |
2SJ527STR
标记：J527 封装：TO-252/DPAK |
HITACHI | 0 | 立即订购 |
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NTGS3443T1 P沟道MOS场效应管 -20V -2.2A 100毫欧 SOT-163 marking/标记 443 功率MOSFET 低导通电阻 便携式设备应用 |
ntgs3443t1
标记：443 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
on | 40 | 立即订购 |
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MMFT2406T1 N沟道MOSFET 240V 700mA/0.7A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 T2406 高速开关/低导通电阻/低电压驱动 |
MMFT2406T1
标记：T2406 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
ON | 12440 | 立即订购 |
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SI3911DV-T3-E3 复合场效应管 -20V -1.8A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 11 |
SI3911DV-T3-E3
标记：11 封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
VISHAY | 376000 | 立即订购 |
