| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SI1405DL P沟道MOS场效应管 -8V -1.6A 210毫欧 SOT-363 marking/标记 OBD |
SI1405DL
标记：OBD 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 600 | 立即订购 |
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SI1400DL-T1 N沟道MOSFET 20V 1.6A SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 marking/标记 NDS 超高速开关/内置栅极保护二极管/DMOS结构式 |
SI1400DL-T1
标记：NDS 封装：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 |
VISHAY | 638 | 立即订购 |
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SI1305EDL P沟道MOS场效应管 -8V -920mA 0.280ohm SOT-323 marking/标记 LEN |
SI1305EDL
标记：LEN 封装：SOT-323/SC70 |
VISHAY | 5900 | 立即订购 |
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SI1304DL-T1 N沟道MOSFET 25V 750mA/0.75A SOT-323/SC-70 marking/标记 LBJ UIS等级曲线 |
SI1304DL-T1
标记：K8S/LBJ 封装：SOT-323/SC-70 |
VISHAY | 200 | 立即订购 |
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SI1301DL-T1/LGW P沟道MOS场效应管 -20V -180mA 2.6ohm SOT-323 marking/标记 LGW |
SI1301DL-T1/LGW
标记：LGW 封装：SOT-323/SC70 |
VISHAY | 3000 | 立即订购 |
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SI1032X N沟道MOSFET 20V 200mA/0.2A SOT-523/SC-75A marking/标记 GO 高速开关/低阈值电压 |
SI1032X
标记：GUA/GY/GC/GO 封装：SOT-523/SC-75A |
VISHAY | 564850 | 立即订购 |
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SI1032R N沟道MOSFET 60V 330mA/0.33A SOT-523/SC-75A marking/标记 GR/GGB 低导通电阻 |
SI1032R
标记：GR/GGB 封装：SOT-523/SC-75A |
VISHAY | 600 | 立即订购 |
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SI1031X P沟道MOS场效应管 -20V -150mA 8ohm SOT-523 marking/标记 HCA 低导通电阻 功率MOSFET 2000VESD保护 |
SI1031X
标记：HCA 封装：SOT-523/SC-75A/SC-89 |
VISHAY | 759000 | 立即订购 |
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SI1026X 复合场效应管 60V 305mA/0.305A SOT-563/SC-89 marking/标记 ET4v ESD保护 电池供电系统 |
SI1026X
标记：ET4v 封装：SOT-563/SC-89 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SI1025X 复合场效应管 -60V -190mA/-0.19A SOT-563 marking/标记 DVA 电源转换 |
SI1025X
标记：DVA 封装：SOT-563 |
VISHAY | 624000 | 立即订购 |
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SI1023X 复合场效应管 -20V -370mA/-0.37A SOT-563 marking/标记 BNB ESD保护 负载开关 电源转换 |
SI1023X
标记：BNB 封装：SOT-563 |
VISHAY | 6000 | 立即订购 |
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SI1021R P沟道MOS场效应管 -60V -190mA 4ohm SOT-523 marking/标记 FWA 低导通电阻 功率MOSFET 2000VESD保护 |
SI1021R
标记：FWA 封装：SOT-523/SC-75A/SC-89 |
VISHAY | 4350 | 立即订购 |
