| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SI1021R P沟道MOS场效应管 -60V -190mA 4ohm SOT-523 marking/标记 FWA 低导通电阻 功率MOSFET 2000VESD保护 |
SI1021R
标记：FWA 封装：SOT-523/SC-75A/SC-89 |
VISHAY | 4350 | 立即订购 |
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SI1016X-T1 复合场效应管 20V/-20V 485mA/-370mA SOT-563 marking/标记 A 负载开关 电源转换 |
SI1016X-T1
标记：A 封装：SOT-563 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SI1013X P沟道MOS场效应管 -20V -400mA 0.8ohm SOT-523 marking/标记 BAA/BGA 低导通电阻 功率MOSFET 2000VESD保护 |
SI1013X
标记：BAA/BGA 封装：SOT-523/SC-75A/SC-89 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SI1013R P沟道MOS场效应管 -20V -400mA 0.8ohm SOT-523 marking/标记 DCB/DCA 低导通电阻 功率MOSFET 2000VESD保护 |
SI1013R
标记：DCB/DCA/DVA 封装：SOT-523/SC-75A/SC-89 |
VISHAY | 5854 | 立即订购 |
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SI1012X N沟道MOSFET 20V 600mA/0.6A SOT-523/SC-75A marking/标记 AA 低导通电阻 |
SI1012X
标记：AY/AA 封装：SOT-523/SC-75A |
VISHAY | 500 | 立即订购 |
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SGM2016M7G MESFET-N沟道 12V 10mA-35mA -2.5V SOT-143 marking/标记 M 高频应用/低噪音/低交叉调制 |
SGM2016M7G
标记：M 封装：SOT-143/M-254 |
SONY | 0 | 立即订购 |
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SGM2016AN-T7 MESFET-N沟道 12V 10mA-35mA -2.5V SOT-343 marking/标记 MA 高频应用/低噪音/低交叉调制 |
SGM2016AN-T7
标记：MA 封装：SOT-343/M-281 |
SONY | 24000 | 立即订购 |
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SGM2014M MESFET-N沟道 12V 8mA-28mA -2.5V SOT-143 marking/标记 D 高频应用/低噪音/低交叉调制 |
SGM2014M
标记：D 封装：SOT-143/M-254 |
SONY | 1170 | 立即订购 |
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SGM2004M-T8 MESFET-N沟道 12V 8mA-28mA -2.5V SOT-143 marking/标记 E 高频应用 |
SGM2004M-T8
标记：E 封装：SOT-143/M-254 |
SONY | 26600 | 立即订购 |
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SD5400CY 高速DMOS结构四场效应晶体管 模拟开关阵列 top14 |
SD5400CY
标记：SD5400CY 封装：top14 |
RASTRONIC | 20 | 立即订购 |
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SCH2807 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 20V 1.2A 500mA/0.5A 0.46V SOT-563/SCH6 marking/标记 QG 低导通电阻/超高速开关/反向恢复时间短/低正向电压 |
SCH2807
标记：QG 封装：SOT-563/SCH6 |
SANYO | 4790 | 立即订购 |
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SCH1411 复合场效应管 30V 2A SOT-563/SCH6 marking/标记 KL 高速开关 4V驱动 |
SCH1411
标记：KL 封装：SOT-563/SCH6 |
SANYO | 4800 | 立即订购 |
