| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SI2302DS N沟道MOSFET 20V 2.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 R2 低导通电阻/低电压驱动 |
SI2302DS
标记：A2 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 3500 | 立即订购 |
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SI2301DS P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.105ohm SOT-23 marking/标记 R1 |
SI2301DS
标记：R1 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SI2301BDS P沟道MOS场效应管 -20V -2.4A 0.080ohm SOT-23 marking/标记 L1 |
SI2301BDS
标记：L1 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 13600 | 立即订购 |
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SI1905DL 复合场效应管 -8V -570mA/-0.57A SOT-363/SC70-6 marking/标记 Q8 |
SI1905DL
标记：Q8 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 52855 | 立即订购 |
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SI1902DL-T1-E3 复合场效应管 20V 660mA/0.66A SOT-363/SC70-6 marking/标记 PAB |
SI1902DL-T1-E3
标记：PAB 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 3000 | 立即订购 |
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SI1553DL 复合场效应管 20V/-20V 660mA/-410mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 RAY |
SI1553DL
标记：RAY 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 4700 | 立即订购 |
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SI1499DH-T1-E3 P沟道MOS场效应管 -8V -1.6A 0.0622ohm SOT-363 marking/标记 BI 功率MOSFET 超低导通电阻 |
SI1499DH-T1-E3
标记：BI 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SI1417EDH P沟道MOS场效应管 -12V -2.7A 160毫欧 SOT-363 marking/标记 BBB 负载开关 ESD保护 |
SI1417EDH
标记：BBB 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 2800 | 立即订购 |
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SI1417DH P沟道MOS场效应管 -12V -2.7A 160毫欧 SOT-363 marking/标记 BDE 负载开关 ESD保护 |
SI1417DH
标记：BDE 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 2600 | 立即订购 |
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SI1413DH P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 220毫欧 SOT-363 marking/标记 BCR 负载开关 |
SI1413DH
标记：BCR 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 350 | 立即订购 |
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SI1407DL-T1 P沟道MOS场效应管 -12V 1.8A 0.105ohm SOT-363 marking/标记 OCU/0CV |
SI1407DL-T1
标记：OCU/0CV 封装：SOT-363/SC70-6 |
VISHAY | 3400 | 立即订购 |
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si1406dh-T1-E3 N沟道MOSFET 20V 3.9A SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 marking/标记 abc 低导通电阻/高速开关 |
si1406dh-T1-E3
标记：abc 封装：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 |
VISHAY | 39400 | 立即订购 |
