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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
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HN7G01FU FET+BJT复合场效应管 20V -15V marking/标记 7B SOT-363 电源管理 驱动、接口电路 HN7G01FU
标记:7B
封装:SOT-363/US6/SC-88
TOSHIBA 790 立即订购
HN3G01J-GR FET+BJT复合场效应管 20V 60V marking/标记 ZG SOT-153 高频放大 HN3G01J-GR
标记:ZG
封装:SOT-153/SMV/SOT-25
TOSHIBA 0 立即订购
HN1L02FU 复合场效应管 20V/-20V 50mA/-50mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 K2 高速开关 2.5V驱动 HN1L02FU
标记:K2
封装:SOT-363/SC70-6/UF6
TOSHIBA 9270 立即订购
HN1K06FU 复合场效应管 20V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 KJ 高速开关 HN1K06FU
标记:KJ
封装:SOT-363/SC70-6/UF6
TOSHIBA 2000 立即订购
HN1K05FU 复合场效应管 20V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 KK 高速开关 接口电路 HN1K05FU
标记:KK
封装:SOT-363/SC70-6/UF6
TOSHIBA 3400 立即订购
HN1K02FU 复合场效应管 20V 50mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 KI 超高速开关 2.5V驱动 HN1K02FU
标记:KI
封装:SOT-363/SC70-6/UF6
TOSHIBA 37000 立即订购
HN1J02FU 复合场效应管 -20V -50mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 KS 超高速开关 HN1J02FU
标记:KS
封装:SOT-363/SC70-6/UF6
TOSHIBA 400 立即订购
HAT2206C-EL-E N 沟道场效应管 12V 2A SOT363 代码 VW 低导通电阻 驱动电流低 HAT2206C-EL-E
标记:VW
封装:SOT-363
RENESAS 3000 立即订购
HAT2160H n沟道场效应管 20V 60A LFPAK 低驱动电流 低导通电阻 HAT2160H
标记:
封装:LFPAK
RENESAS 20 立即订购
HAT2096H N沟道大功率场效应管 30V 40A LFPAK 代码 2096 HAT2096H
标记:2096
封装:LFPAK
NEC 160 立即订购
HAT2054M N沟道MOSFET 30V 6.3A SOT-163/TSOP-6 marking/标记 2054 极低的RDS/低栅极电荷 HAT2054M
标记:2054
封装:SOT-163/TSOP-6
HITACHI 6200 立即订购
HAT2053M-EL N沟道场效应管 20V 6.1A SOT163 代码 2053 低导通电阻 低驱动电流 HAT2053M-EL
标记:2053
封装:SOT-163
RENESAS 8800 立即订购
总数:2520

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