| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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G2306 N沟道MOSFET 20V 5.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 2306 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
G2306
标记：2306 封装：SOT-23/SC-59 |
GTM | 0 | 立即订购 |
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FX203 复合场效应管 -30V -4A XP5 marking/标记 203 超高速开关 低电压驱动 |
FX203
标记：203 封装：XP5 |
SANYO | 17200 | 立即订购 |
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FW211-V-TL 复合场效应管 20V 6A SOP-8 marking/标记 W211 DC/DC转换 低导通电阻 2.5V驱动 |
FW211-V-TL
标记：W211 封装：SOP-8 |
SANYO | 800 | 立即订购 |
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FW113 复合场效应管 -30V -5A SOP-8 marking/标记 W113 低导通电阻 4V驱动 |
FW113
标记：W113 封装：SOP-8 |
SANYO | 560 | 立即订购 |
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FSS134 复合场效应管 -30V -9A SOP-8 marking/标记 S134 DC/DC转换 超高速开关 4V驱动 |
FSS134
标记：S134 封装：SOP-8 |
SANYO | 1000 | 立即订购 |
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FSS102-TL 复合场效应管 -30V -5A SOP-8 marking/标记 S102 DC/DC转换 超高速开关 4V驱动 |
FSS102-TL
标记：S102 封装：SOP-8 |
SANYO | 180 | 立即订购 |
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FS70VS-06-T11 N沟道MOSFET 60V 7A TO-263 marking/标记 FS70VS06 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FS70VS-06-T11
标记：FS70VS06 封装：TO-263 |
FUJI | 50 | 立即订购 |
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FS30AS-06-T13 N沟道MOSFET 60V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 FS30 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FS30AS-06-T13
标记：FS30 封装：TO-252/D-PAK |
FUJI | 0 | 立即订购 |
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FQD3P20TF P沟道MOS场效应管 -200V -1.52A 2.06ohm SOT-252 marking/标记 3P20 快速开关 |
FQD3P20TF
标记：3P20 封装：TO-252/DPAK |
FAIRCHILD | 200 | 立即订购 |
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FQD19N10TM N沟道MOSFET 10V 15.6A TO-252/D-PAK marking/标记 FQD19N10 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FQD19N10TM
标记：FQD19N10 封装：TO-252/D-PAK |
FAIRCHILD | 100 | 立即订购 |
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FQD13N06LTM N沟道MOSFET 60V 11mA TO-252/D-PAK marking/标记 13N06L 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FQD13N06LTM
标记：13N06L 封装：TO-252/D-PAK |
FAIRCHILD | 400 | 立即订购 |
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FQD10N20LTF N沟道MOSFET 200V 7.6A TO-252/D-PAK marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS |
FQD10N20LTF
标记： 封装：TO-252/D-PAK |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
