商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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HAF2011-90STR-E N沟道MOSFET 60V 4A TO-263 marking/标记 HAF2011 负荷开关/电源管理/低栅极电荷 |
HAF2011-90STR-E
标记:HAF2011 封装:TO-263 |
RENESAS | 1000 | 立即订购 | |
H7P1002DS90TR P沟道MOS场效应管 -100V -1.5A 0.0085ohm SOT-252 marking/标记 7P1002 |
H7P1002DS90TR
标记:7P1002 封装:TO-252/DPAK |
RENESAS | 0 | 立即订购 | |
H5N2004DSTL N沟道MOSFET 200V 8A TO-252/D-PAK marking/标记 5N2004 低栅极电荷/门源齐纳二极管ESD坚固 |
H5N2004DSTL
标记:5N2004 封装:TO-252/D-PAK |
HITACHI | 350 | 立即订购 | |
H2N7002XIT1 N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 025Y 负荷开关/电源管理/低栅极电荷 |
H2N7002XIT1
标记:025Y 封装:SOT-23/SC-59 |
HI-SINCERITY | 0 | 立即订购 | |
FDS6990A 复合场效应管 30V 7.5A SO8 marking/标记 FDS6990A 快速开关 |
FDS6990A
标记:FDS6990A 封装:SO8/SOIC8/SOP8 |
FAIRCHILD | 62 | 立即订购 | |
GN1042 MESFET-N沟道 6V 28mA-60mA SOT-143 marking/标记 OD 高频应用 |
GN1042
标记:OD 封装:SOT-143 |
Panasonic | 4800 | 立即订购 | |
GN1042 MESFET-N沟道 6V 28mA-60mA SOT-143 marking/标记 0O 高频应用 |
GN1042
标记:0O 封装:SOT-143 |
Panasonic | 0 | 立即订购 | |
GN1010-R MESFET-N沟道 6V 25mA-45mA SOT-143 marking/标记 5AR 高频应用/低噪音 |
GN1010-R
标记:5AR 封装:SOT-143 |
Panasonic | 2800 | 立即订购 | |
GN1010-Q MESFET-N沟道 6V 15mA-30mA SOT-143 marking/标记 5AQ 高频应用/低噪音 |
GN1010-Q
标记:5AQ 封装:SOT-143 |
Panasonic | 7000 | 立即订购 | |
GN1010-P MESFET-N沟道 6V 5mA-20mA SOT-143 marking/标记 5AP 高频应用/低噪音 |
GN1010-P
标记:5AP 封装:SOT-143 |
Panasonic | 1100 | 立即订购 | |
GN01010NS1TD MESFET-N沟道 6V SOT-143 marking/标记 高频应用/低噪音 |
GN01010NS1TD
标记: 封装:SOT-143 |
Panasonic | 2263 | 立即订购 | |
GN01010NQTD MESFET-N沟道 6V 15mA-30mA SOT-143 marking/标记 5AQ 高频应用/低噪音 |
GN01010NQTD
标记:5AQ 封装:SOT-143 |
Panasonic | 300 | 立即订购 |