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其它 MESFET-N沟道 MOSFET-P沟道 复合场效应管 结型(JFET)-N沟道 结型(JFET)-P沟道 MOSFET-N沟道
商品图片 商品描述 型号 厂牌 库存数量 操作
HAT1111C P沟道MOS场效应管 -60V -2A 0.245ohm SOT-363 marking/标记 UA 低驱动电流 1.8V驱动 HAT1111C
标记:UA
封装:SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6)
RENESAS 50 立即订购
HAT1093C P沟道MOS场效应管 -12V -3A 0.041ohm SOT-363 marking/标记 VM 低驱动电流 1.8V驱动 HAT1093C
标记:VM
封装:SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6)
RENESAS 1900 立即订购
HAT1089C P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.079ohm SOT-363 marking/标记 VK 低驱动电流 2.5V驱动 HAT1089C
标记:VK
封装:SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6)
RENESAS 10500 立即订购
HAT1069C-EL-E P沟道MOS场效应管 -12V -4A 0.038ohm SOT-363 marking/标记 VY 高速开关 1.8V驱动 HAT1069C-EL-E
标记:VY
封装:SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6)
RENESAS 17949 立即订购
HAT1063M P沟道MOS场效应管 SOT-163 marking/标记 1063 高频双极场效应管 小型包装 HAT1063M
标记:1063
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
HITACHI 1200 立即订购
HAT1059C P沟道MOS场效应管 -12V -3A 0.071ohm SOT-163 marking/标记 59 电源开关 低导通电阻 HAT1059C
标记:59
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
HITACHI 1400 立即订购
HAT1053M-EL P沟道MOS场效应管 -20V -5.5A 0.034ohm SOT-163 marking/标记 1053 低导通电阻 低驱动电流 HAT1053M-EL
标记:1053
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
RENESAS 9000 立即订购
HAT1044M P沟道MOS场效应管 -30V -4.5A 0.005ohm SOT-163 marking/标记 1044 低导通电阻 低驱动电流 HAT1044M
标记:1044
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
HITACHI 0 立即订购
HAT1043M02 P沟道MOS场效应管 -20V -4.4A 0.055ohm SOT-163 marking/标记 1043 低导通电阻 低驱动电流 HAT1043M02
标记:1043
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
HITACHI 2800 立即订购
HAT1043M P沟道MOS场效应管 -20V -4.4A 0.055ohm SOT-163 marking/标记 1043 低驱动电流 2.5V驱动 HAT1043M
标记:1043
封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
HITACHI 9800 立即订购
HAF2025-91STL N沟道MOSFET 60V 1.5A TO-252/D-PAK marking/标记 F2025 极低的RDS/负荷开关/电源管理 HAF2025-91STL
标记:F2025
封装:TO-252/D-PAK
RENESAS 3890 立即订购
HAF2011-90STR-E N沟道MOSFET 60V 4A TO-263 marking/标记 HAF2011 负荷开关/电源管理/低栅极电荷 HAF2011-90STR-E
标记:HAF2011
封装:TO-263
RENESAS 1000 立即订购
总数:2520

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