商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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2SK2549 N沟道MOSFET 16V 2A SOT-89/PW-Mini marking/标记 Z7 低漏源导通电阻/高正向转移导纳/低漏电流增强型 |
2SK2549
标记:Z7 封装:SOT-89/PW-Mini |
TOSHIBA | 22400 | 立即订购 | |
BSP75A N沟道MOSFET 55V 700mA/0.7A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP75A |
BSP75A
标记:BSP75A 封装:SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 27860 | 立即订购 | |
SSM6N37FE 复合场效应管 20V 250mA/0.25A SOT-563/ES6 marking/标记 SU 高速开关 |
SSM6N37FE
标记:SU 封装:SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 | |
SSM6P41FE 复合场效应管 -20V -720mA/-0.72A SOT-563/ES6 marking/标记 PP3 电源管理开关 |
SSM6P41FE
标记:PP3 封装:SOT-563/ES6 |
TOSHIBA | 200000 | 立即订购 | |
BF1105R N沟道MOSFET 7V 30mA SOT-143 marking/标记 NA 超高速开关/超低反向电容 |
BF1105R
标记:NA 封装:SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 | |
SIA912DJ 复合场效应管 12V 4.5A SC70-6L(QFN) marking/标记 CAW 负载开关 功率MOSFET |
SIA912DJ
标记:CAW 封装:SC70-6L(QFN) |
VISHAY | 6000 | 立即订购 | |
SI5480DU N沟道MOSFET 30V 12A 1206-8 marking/标记 ADH |
SI5480DU
标记:ADH 封装:1206-8 |
VISHAY | 9000 | 立即订购 | |
SI3424BDV N沟道MOSFET 30V 8A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 AGR 低导通电阻/低电压驱动 |
SI3424BDV
标记:AGR 封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
VISHAY | 884900 | 立即订购 | |
MMBFJ201 N沟道结型场效应管 40v 0.2~1mA SOT-23 marking/标记 62P 低级别的 radio |
MMBFJ201
标记:62P 封装:SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 93961 | 立即订购 | |
FDJ129 P沟道MOS场效应管 -20V -4.2A 120毫欧 Vth:-0.6~-1.5V SC75-6 marking/标记 A 负载开关 电源管理 |
FDJ129P
标记:A 封装:SC75-6 |
FAIRCHILD | 3000 | 立即订购 | |
CPH3307 P沟道MOS场效应管 -20V -3A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 JG 超高速开关 2.5V驱动 |
CPH3307
标记:JG 封装:SOT-23/SC-59 |
SANYO | 600 | 立即订购 | |
BF1100R N沟道MOSFET 14 30mA SOT-143 marking/标记 M57 高速开关/低导通电阻 |
BF1100R
标记:M57 封装:SOT-143 |
NXP/PHILIPS | 53800 | 立即订购 |