| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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EC4A01TF-4-B-TR-H N沟道结型场效应管 20v 0.14~0.24mA E-CSP1008-4 marking/标记 V radio 设备和电话 |
EC4A01TF-4-B-TR-H
标记：V 封装：E-CSP1008-4 |
SANYO | 6856000 | 立即订购 |
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MCH3409 N沟道MOSFET 20V 2A SOT-323/SC-70 marking/标记 XJ 低导通电阻/快速开关 |
MCH3409
标记：KJ 封装：SOT-323/SC-70 |
SANYO | 9500 | 立即订购 |
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2SK4041-E1-A N沟道结型场效应管 20v 0.15~0.24mA 402 marking/标记 DF 高增益超低噪音 |
2SK4041-E1-A
标记：DF 封装：4pXSLP04/1006 |
NEC | 3000 | 立即订购 |
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SST4416 N沟道结型场效应管 30v 5~15mA SOT-23 marking/标记 H1 高AC / DC开关关断隔离 |
SST4416
标记：H1 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SSM6K06FU N沟道MOSFET 20V 1.1A SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88/US6 marking/标记 KDA 高速开关/低导通电阻/低栅极阈值电压 |
SSM6K06FU
标记：KDA 封装：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88/US6 |
TOSHIBA | 92000 | 立即订购 |
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AON2801L 复合场效应管 -20V -3A DFN 2x2 marking/标记 2801 负载开关 PWM应用 |
AON2801L
标记：2801 封装：DFN 2x2 |
AOS | 0 | 立即订购 |
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TPCF8104 P沟道MOS场效应管 -30V -6A 28毫欧 vs-8 marking/标记 F3D 便携式设备应用 低漏电流 低导通电阻 |
TPCF8104
标记：F3D 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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SCH2810-S-TL-E 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -12V -1.3A 500mA/0.5A 0.46V SOT-563/SCH6 marking/标记 QK 低导通电阻/超高速开关/反向恢复时间短/低正向电压 |
SCH2810-S-TL-E
标记：QK 封装：SOT-563/SCH6 |
SANYO | 2260000 | 立即订购 |
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ECH8649-S-TL-H 复合场效应管 20V 7.5A ech8 marking/标记 WT 通用开关 2.5V驱动 |
ECH8649-S-TL-H
标记：WT 封装：ech8 |
SANYO | 2953740 | 立即订购 |
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S525T-GS08 N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-23/SC-59 marking/标记 LB 快速开关/低导通电阻 |
S525T-GS08
标记：LB 封装：SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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SI3447DV P沟道MOS场效应管 -12V 5.2A 0.040ohm SOT-153 marking/标记 47 |
SI3447DV
标记：47 封装：SOT-153/SOT23-5 |
VISHAY | 12328 | 立即订购 |
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SGM2006M-T7 MESFET-N沟道 SOT-143 marking/标记 F- 高频应用 |
SGM2006M-T7
标记：F- 封装：SOT-143/M-254 |
SONY | 5650 | 立即订购 |
