商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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SGM2006M-T7 MESFET-N沟道 SOT-143 marking/标记 F- 高频应用 |
SGM2006M-T7
标记:F- 封装:SOT-143/M-254 |
SONY | 5650 | 立即订购 | |
SST4119 N沟道结型场效应管 40v 0.2~0.6mA SOT-23 marking/标记 T9NLA 超高输入阻抗 |
SST4119
标记:T9NLA 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 33090 | 立即订购 | |
2N7002DW-7-F 复合场效应管 60 115mA/0.115A SOT-363/SC70-6 marking/标记 K72 快速开关 双N沟道 |
2N7002DW-7-F
标记:K72 封装:SOT-363/SC70-6 |
DIODES | 11100 | 立即订购 | |
TPCF8301 复合场效应管 -20V -2.7A 1206-8/vs-8 marking/标记 F5A 低漏源导通电阻 |
TPCF8301
标记:F5A 封装:1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 197500 | 立即订购 | |
2SK4028C-T1 N沟道结型场效应管 20v 0.15~0.24mA sot-723 marking/标记 GF 高增益低噪音 |
2SK4028C-T1
标记:GF 封装:sot-723/3pXSOF03/0812 |
NEC | 0 | 立即订购 | |
SMG1333 P沟道MOS场效应管 -20V -550mA 0.6ohm SOT-23 marking/标记 1333 小型封装 快速开关 |
SMG1333
标记:1333 封装:SOT-23/SC-59 |
SECOS | 2000 | 立即订购 | |
BB305MEW-TL N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 EW 高增益/低噪音/耐静电 |
BB305MEW-TL
标记:EW 封装:SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 138300 | 立即订购 | |
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿 |
BSS138
标记:J1 封装:SOT-23/SC-59 |
ON | 0 | 立即订购 | |
SI1024X 复合场效应管 20V 485mA/0.485A SOT-563/SC-89 marking/标记 CB ESD保护 负载开关 电源转换 |
SI1024X
标记:CB 封装:SOT-563/SC-89 |
VISHAY | 900 | 立即订购 | |
SI2301DS P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 0.105ohm SOT-23 marking/标记 A1 |
SI2301DS
标记:A1 封装:SOT-23/SC-59 |
VISHAY | 2000 | 立即订购 | |
BSS119 N沟道MOSFET 1.7A SOT-23/SC-59 marking/标记 SH 快速开关/逻辑电平兼容 |
BSS119
标记:SH 封装:SOT-23/SC-59 |
INFINEON | 935 | 立即订购 | |
CPH3427 N沟道MOSFET 100V 1A SOT-23/SC-59 marking/标记 ZC 高速开关/逻辑电平兼容 |
CPH3427
标记:CH 封装:SOT-23/SC-59 |
SANYO | 0 | 立即订购 |