| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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BSR57 N沟道结型场效应管 40v 20~100mA SOT-23 marking/标记 M5 低频率，低噪声放大器 |
BSR57
标记：M5 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 2366 | 立即订购 |
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MMBFJ202 N沟道结型场效应管 40v 0.9~4.5mA SOT-23 marking/标记 G2O 低级别的 radio |
MMBFJ202
标记：G2O 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 3050 | 立即订购 |
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MMBFJ310 N沟道结型场效应管 25v 24~60mA SOT-23 marking/标记 GT 射频放大器 |
MMBFJ310
标记：6T 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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MMBF4391 N沟道结型场效应管 30v 0.05~0.15mA SOT-23 marking/标记 6J 模拟开关 |
MMBF4391
标记：6J 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 0 | 立即订购 |
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MMBF5484 N沟道结型场效应管 25v 1~5mA SOT-23 marking/标记 6B 电子开关 |
MMBF5484
标记：6b 封装：SOT-23/SC-59 |
FAIRCHILD | 11469 | 立即订购 |
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PMV56XN N沟道MOSFET 20V 3.76A SOT-23/SC-59 marking/标记 WM5 快速开关/DC/DC应用/极低的RDS |
PMV56XN
标记：WM5 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
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BUK481-100A N沟道MOSFET 100V 1A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 41-10A 密度电池设计极低的RDS |
BUK481-100A
标记：41-10A 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 4000 | 立即订购 |
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BSP129 N沟道MOSFET 240V 350mA/0.35A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP129 高交叉调制性能/低反馈电容/低噪声增益控制放大 |
BSP129
标记：BSP129 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
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CPH3422 N沟道MOSFET 60V 1A SOT-23/SC-59 marking/标记 KX 增强模式/逻辑电平 |
CPH3422
标记：KX 封装：SOT-23/SC-59 |
sanyo | 480 | 立即订购 |
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SI8902EDB 复合场效应管 20V 5A 2X3 6-MFP 电池保护电路 功率MOSFET |
SI8902EDB
标记： 封装：2X3 6-MFP |
VISHAY | 6000 | 立即订购 |
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3HN04MH N沟道MOSFET 30V 300mA/0.3A SOT-323/SC-70 marking/标记 LZ 低导通电阻/高速开关 |
3HN04MH
标记：LZ 封装：SOT-323/SC-70 |
SANYO | 5833 | 立即订购 |
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CPH5852 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -30V -2A 1A 0.45V SOT-153/SOT23-5/CPH5 marking/标记 YE DC-DC转换器/低导通电阻/超高速开关/超低驱动电压/反向恢复时间短/低正向电压 |
CPH5852
标记：YE 封装：SOT-153/SOT23-5/CPH5 |
SANYO | 0 | 立即订购 |
