| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
TPCF8002 N 沟道场效应管 30V 7A SOT23-8 代码 F2B 低漏源导通电阻 增强模式 低漏电流 |
TPCF8002
标记：F2B 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 4000 | 立即订购 |
|
|
TJ15P04M3 增强型场效电晶体硅p沟道 -40V -15A TO252 代码 TJ15P04M3 |
TJ15P04M3
标记：TJ15P04M3 封装：TO-252 |
TOSHIBA | 12000 | 立即订购 |
|
|
2SK3342 P沟道场效应管 250V 4.5A TO252 代码 K3342 增强型 开关稳压器和DC-DC转换 低漏源导通电阻 |
2SK3342
标记：K3342 封装：TO-252 |
TOSHIBA | 12000 | 立即订购 |
|
|
2SK2493 N沟道场效应管 16V 5A TO252 代码 K2493 2.5-V栅极驱动 低漏源导通电阻 斩波稳压器和DC-DC转换 |
2SK2493
标记：K2493 封装：TO-252 |
TOSHIBA | 2000 | 立即订购 |
|
|
2SJ567 P沟道场效应管 -200V -2.5A TO252 代码 J567 低漏源导通电阻 |
2SJ567
标记：J567 封装：TO-252 |
TOSHIBA | 28000 | 立即订购 |
|
|
2SK3373 N沟道场效应管 500V 2A TO252 代码 K3373 增强型 开关稳压器和DC-DC转换 低漏源导通电阻 |
2SK3373
标记：K3373 封装：TO-252 |
TOSHIBA | 94000 | 立即订购 |
|
|
GT8G121 N沟道场效应管 400v 8A TO252 代码 8G121 |
GT8G121
标记：8G121 封装：TO-252 |
TOSHIBA | 2000 | 立即订购 |
|
|
TPCP8F01 PNP三极管+N沟道场效应管 PS-8 代码 8F01 |
TPCP8F01
标记：8F01 封装：PS-8 |
TOSHIBA | 39000 | 立即订购 |
|
|
TPCP8G01 PNP三极管+P沟道场效应管 PS-8 代码 8G01 大电流 |
TPCP8G01
标记：8G01 封装：PS-8 |
TOSHIBA | 3000 | 立即订购 |
|
|
2SJ668 P沟道MOS场效应管Vds= -60V Id=-5A Rds=0.16~0.25ohm SOT-252 marking/标记 J668 |
2SJ668
标记：J668 封装：SOT-252 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
|
|
MMBFJ113 N沟道结型 35V 2MA SOT23 代码 GS 模拟开关 |
MMBFJ113
标记：GS 封装：SOT-23 |
FAIRCHILD | 650 | 立即订购 |
|
|
TPCF8105 P沟道场效应管 -20V -6A SOT23-8 代码 F3E 增强型 低漏电流 低漏源电阻 |
TPCF8105
标记：F3E 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
